search query: @keyword resonant tunneling diode / total: 1
reference: 1 / 1
« previous | next »
Author: | Väänänen, Riikka |
Title: | Electron transport through semiconductor heterostructures |
Elektronien kuljetusominaisuudet puolijohdekerrosrakenteissa | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2003 |
Pages: | 63 Language: eng |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Fysiikka (Tfy-3) |
Supervisor: | Nieminen, Risto |
Instructor: | |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Keywords: | electron transport equilibrium Green's function NEGF resonant tunneling diode RTD current-voltage curve johtavuus epätasapaino Greenin funktio NEGF resonassitunnelidiodi RTD virta-jännite -käyrä |
Abstract (fin): | Nanoelektroniikan kehittyessä voidaan rakentaa yhä pienempiä komponentteja. Laitteiden koon pienentyessä Ohmin laki ei riitä kuvaamaan laitteissa kulkevaa virtaa, vaan elektronien liike on pystyttävä mallintamaan kvanttimekaanisesti. Greenin funktiot epätasapainotilanteelle ovat yksi formalismi mallintaa mesoskooppista laitetta, jonka yli on kytketty jännite. Eräs atomitason komponenttityyppi on heterorakenne, joka tarkoittaa yhdensuuntaisista erilaisista puolijohdekerroksista koottua laitetta. Kerrokset voivat olla vain muutaman atomikerroksen paksuisia. Tässä työssä mallinnetaan resonanssitunnelidiodia. Mallissamme kaksi ohutta gallium-alumiini-arsenidi-kerrosta on gallium-arsenidi-kerrosten välissä. Gallium-alumiini-arsenidilla on leveämpi kielletty vyö valenssi- ja johtavuusvöiden välissä, joten siitä tehdyt kerrokset toimivat elektroneille potentiaalivalleina. Kokeellisesti resonanssidiodilla on havaittu negatiivisen differentiaalisen resistanssin alue tietyllä jännitevälillä. Tämä tarkoittaa, että jännitteen kasvaessa laitteen läpi kulkeva virta pienenee. Tässä työssä on lähdetty liikkeelle yksidimensioista rakennetta kuvaavasta Greenin funktio -formalismista ja sitä simuloivasta ohjelmasta. Formalismia on laajennettu kuvaamaan sellaista kolmiulotteista tilannetta, jossa rakenne ei muutu virtaa vastaan kohtisuorassa äärettömässä tasossa. Toteuttamalla tämä on saatu heterorakenteita mallintava ohjelma. Sitä on testattu resonassitunnelidiodilla. Ohjelma havaittiin toimivaksi mallintamalla resonanssitunnelidiodin virta-jännitekäyrä. Joissain tapauksissa törmättiin ongelmiin, jotka johtuivat mallin rajoituksesta huomioida vain elektronien sirontatilat ja jättää resonanssitilat huomiotta. |
ED: | 2004-01-14 |
INSSI record number: 21088
+ add basket
« previous | next »
INSSI