haku: @instructor Foster, Adam / yhteensä: 3
hakutulos-lista
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Hakala, Mikko
Työn nimi:First principles modelling a silicon high-k oxide interface
Pii ja korkeadielektrisen oksidin rajapinnan mallintaminen
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2004
Sivut:64+10      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Oppiaine:Fysiikka   (Tfy-3)
Valvoja:Nieminen, Risto
Ohjaaja:Foster, Adam
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark TF80     | Arkisto
Avainsanat:first principles modelling
MOSFET
interface
semiconductors
hafnium oxide
numeerinen mallinnus
MOSFET
rajapinta
puolijohteet
hafniumoksidi
Tiivistelmä (fin):Puolijohdeteollisuus pohjautuu vahvasti integroitujen piirien jatkuvaan kehitykseen.
Näissä keskeisenä elementtinä on ollut piioksidi, joka on mahdollistanut nykyisten mikroprosessorien kehityksen.
Lähitulevaisuudessa tämän materiaalin rajat kuitenkin tulevat vastaan, ja jotta laitteiden kehitystä voitaisiin jatkaa edelleen, täytyy piioksidi korvata niin sanotulla korkeadielektrisellä materiaalilla.

Tässä työssä lupaavinta piioksidin korvaavaa kandidaattia, hafniumoksia, on mallinnettu numeerisesti.
Mallintamiseen käytettiin tiheysfunktionaaliteoriaan pohjautuvaa Siesta-koodia ja DFT-GGA-menetelmää.
Päätavoite työssä on tarkastella piin ja hafniumoksidin muodostamaa rajapintaa, erityisesti sen atomirakennetta sekä elektronitiloja.

Tutkittu rajapinta on rakennettu kerros kerrokselta piialustan päälle.
Jokainen kerros on laskennallisesti lämpökäsitelty ja sen jälkeen tuotu perustilaan viemällä lämpötila nollaan asteeseen.
Tällä tavoin piipohjan päälle on rakennettu yksi kerros happea ja kolme kerrosta hafniumoksidia.

Lopullinen tulos osoittaa, että rakenne ei ole vielä kolmen kerroksen jälkeen eristävä.
Syynä ovat saturoitumattomat hafniumsidokset ja rakennetta tulee edelleen kasvattaa, jotta materiaalista tulee eristä.
ED:2005-03-07
INSSI tietueen numero: 28139
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI