haku: @author Jääskeläinen, Anna / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Jääskeläinen, Anna |
Työn nimi: | Formation entropy of point defects in silicon |
Piin pistevirheiden muodostumisentropia | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1998 |
Sivut: | 56 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (laskennallinen fysiikka) (Tfy-105) |
Valvoja: | Nieminen, Risto |
Ohjaaja: | Colombo, Luciano |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Tiivistelmä (fin): | Piin pistevirheitä on tutkittu hyvin intensiivisesti viime vuosikymmeninä. Syy tähän on se, että pistevirheet aiheuttavat suuria muutoksia puolijohteen elektronirakenteeseen. Täten pistevirheitten kontrolloiminen on hyvin tärkeätä puolijohtavien materiaalien kasvatuksessa ja käytössä. Pistevirheitä ja niiden elektronisia ja ionisia vaikutuksia on tutkittu hyvin paljon käyttäen useita laskennallisia menetelmiä. Useimmista mallinnuksista puuttuu kuitenkin termodynaaminen kontribuutio, jonka laskennallinen simuloiminen vaatii paljon laskenta-aikaa. Myös kokeellisia tuloksia pistevirheistä on runsaasti saatavilla: aihetta on tutkittu intensiivisesti kokeellisin menetelmin jo viime vuosikymmenen alusta. Kokeellisten tulosten fysikaalinen ymmärtäminen on mahdollista vain luotettavia teorioita käyttäen. Tietyille pistevirheiden ilmiöille ei kokeellisia tuloksia vahventavia laskennallisia tuloksia vielä ole. Eräs tällainen ilmiö on itseisvirheiden diffuusio: diffuusioentropia on mitattu kokeellisesti, mutta mitatun entropian mikroskooppinen alkuperä on epäselvä. Tässä diplomityössä on tutkittu piin itseisvirheiden muodostumista äärellisissä lämpötiloissa. Työssä kehitettiin laskennallinen menetelmä, joka laskee vakanssin ja välisija-atomin muodostumisvapaaenergian. Kyseinen malli huomioi myös anharmoniset kontribuutiot vastoin useimpia käytössä olevia vapaaenergiamenetelmiä. Menetelmä on käytetyltä laskenta-ajaltaan erittäin edullinen, joka on sallinut suurempien statistiikkojen käytön tuottaen näin tarkempia tuloksia. Tuloksina saaduista muodostumisvapaaenergioista voidaan vetää johtopäätöksiä diffuusioentropiasta. Niiden mukaan suurimman kontribuution diffuusioentropiaan muodostaa diffuusiossa syntyvien pistevirheiden muodostumisentropia. Tulokset ovat erittäin rohkaisevia kehitetyn vapaaenergiamenetelmän käyttämiseksi myös tulevaisuudessa. |
ED: | 1999-03-16 |
INSSI tietueen numero: 14091
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI