haku: @keyword SOI / yhteensä: 31
hakutulos-lista
viite: 10 / 31
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Alaoja, Riikka
Työn nimi:SOI and Bulk CMOS Modeling Aspects in Radio Frequency Low Noise Amplifier Design
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2004
Sivut:49      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Piiritekniikka   (S-87)
Valvoja:Halonen, Kari
Ohjaaja:Saijets, Jan
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:SOI
SOS
bulk
CMOS
modeling
LNA
low noise amplifier
RF
radio frequency
SOI
SOS
bulk
CMOS
mallinnus
LNA
vähäkohinainen vahvistin
RF
radiotaajuus
Tiivistelmä (fin):Työssä tutkitaan SOl CMOS -teknologian sopivuutta pienitehoisten, radiotaajuisten integroitujen piirien toteuttamiseen. Työssä perehdytään MOSFETien mallintamiseen ja verrataan SOl CMOS -teknologiaa perinteiseen bulk CMOS -teknologiaan sekä teorian että käytännön tasolla.

Suunnitteluesimerkkinä toteutetaan 2 GHz:n LNA-piiri, ja SOl-teknologiareferenssinä käytetään sefiiripohjaista SOS-teknologiaa. Työssä tulee esille SOS-teknologian edut. Pienempi tehonkulutus saavutetaan pienemmillä käyttöjännitteillä, SOS:n yksinkertaisempi HF-malli, ei back-gate-bias efektiä, ei substraattikytkeytymistä, tarkemmat kelamallit ja korkeammat Q-arvot. FBE-efekti on mitätön työssä käytetyn UTSi FD SOS -teknologian tapauksessa. Bulk CMOS -teknologian käyttöä tukee kiekkojen helpompi saatavuus, mikä tekee bulk-teknologiasta edullisemman.
Tiivistelmä (eng):This thesis explores the suitability of silicon-on-insulator (SOl) CMOS technology for low-power RF IC design. Modeling aspects are considered from the designer’s point of view and a comparison between SOl CMOS and bulk CMOS technologies is done in both theoretical and practical levels.

A 2 GHz low noise amplifier (LNA) is presented as a study case and silicon-on-sapphire (SOS) technology is used as a SOl reference. The studies showed the benefits of SOS. Lower power consumption is attained by the use lower operation voltage, easier HF model compared to the bulk CMOS case, no back-gate-bias effect, no substrate coupling, more accurate inductor models and higher Q-values. Also the floating body effect (FBE) is negligible in the UTSi FD SOS process used in this study. The thing that support the use of the bulk CMOS process is the easier availability of the bulk wafers which makes the bulk CMOS process less expensive.
ED:2004-08-31
INSSI tietueen numero: 26202
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI