haku: @keyword SOI / yhteensä: 31
viite: 7 / 31
| Tekijä: | Tiilikainen, Jouni |
| Työn nimi: | Ramanin sironta jännitetystä monikiteisestä piikerroksesta |
| Raman scattering from polymorphic silicon under stress | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 2005 |
| Sivut: | 61 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
| Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
| Valvoja: | Lipsanen, Harri |
| Ohjaaja: | Kostamo, Pasi |
| Digitoitu julkaisu: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/92971 |
| OEVS: | Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | SOI polysilicon polymorphic silicon Raman Fano boron resistivity stress linewidth asymmetry parameter SOI polypii monikiteinen pii Raman Fano boori resistiivisyys jännitys puoliarvoleveys epäsymmetrisyysparametri |
| Tiivistelmä (fin): | Työssä mitattiin Puunjalostustuksen kemianlaboratorion Ramanin spektroskopialaitteistolla yksi- ja monikiteisen piin Ramanin spektrejä. Tarkoituksena oli tutkia laitteiston ja menetelmän soveltumista polypiikerrosten jännitysprofiilien määrittämiseen. Yksikiteiset piinäytteet olivat boorilla seostettuja ja monikiteiset näytteet olivat Okmetic OYJ:n valmistamia SOI-rakenteita. Monikiteisten piikerrosten paksuudet vaihtelivat välillä 10-20 µm. Kerroksissa raekoko ja kiteiden suuntaisuus olivat homogeenisia. Mittauslaitteiston laserin toiminnassa havaittiin toimintataajuuden vaeltamista ja moodien vaihtelua. Epästabiilin toiminnan käynnistävä tekijä oli takaisinheijastus valokaapelista ja laserin toimintalämpötilan vaihtelu. Laitteiston näytealustaa liikuttavissa moottoreissa havaittiin epätarkkuutta välyksen poistosta huolimatta, mikä mikro-Ramanin mittauksissa vääristää tutkittavan kohteen mittasuhteita. Spektrometrin kvantisointuneen kohinan intensiteettijakaumasta määritettiin mittauksissa tarvittava alhaisin intensiteettitaso. Ramanin spektrejä mitattiin boorilla seostetuista näytteistä. Tulosten havaittiin riippuvan voimakkaasti mitattavan näytteen pinnan laadusta, ja tämän vuoksi mittaukset suoritettiin lohkaistuilta pinnoilta. Laitteistokohtainen Fanon epäsymmetrisyysparametrin 1/q:n ja puoliarvoleveyden GAMMA riippuvuus resistiivisyydestä määritettiin. Piiliuskaa taivuttamalla ja Ramanin spektrejä mittaamalla määritettiin teoreettisen jännityksen ja Ramanin LO-TO-fononiviivan siirtymän väliseksi lineaariseksi kertoimeksi (330 +- 5) MPa/Rcm-1. SOI-rakenteista mitattiin profiileja, joiden Ramanin sirontaviivojen siirtymistä laskettiin monikiteisten piikerrosten jännitysmomentit. Vastaavuutta ei havaittu verrattaessa Ramanin siirtymiä ja vapautetuista polypiiliuskoista tehtyjä mittauksia. Vastaavuutta ei havaittu keskiarvoistettaessa useamman profiilin jännitysmomentteja Ramanin 2D-kartoista. Siirtymien huomattiin vaihtelevan paikallisesti, eikä kerroksen kartoista pystytty päättelemään kerrosrakenteen perioidisuutta. Perioidisuutta tutkittiin vertaamalla puoliarvoleveys- ja epäsymmetrisyysparametriprofiileja SEM-kuviin. Epäsymmetrisyysparametrin havaittiin ennustavan polypiikerroksen jaksollisuutta puoliarvoleveyttä paremmin. |
| ED: | 2005-10-26 |
INSSI tietueen numero: 29918
+ lisää koriin
INSSI