haku: @keyword quantum dot / yhteensä: 16
hakutulos-lista
viite: 7 / 16
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Jussila, Henri
Työn nimi:Fabrication of Indium Arsenide Quantum Dot Structure for Semiconductor Optical Ampliers
Indiumarsenidikvanttipisterakenteen valmistaminen optiseen puolijohdevahvistimeen
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2010
Sivut:[7] + 41      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Sopanen, Markku
Ohjaaja:Hakkarainen, Teppo ; Aierken, Abuduwayiti
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201203131428
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  822   | Arkisto
Avainsanat:indium phosphide
indium arsenide
indium gallium arsenide phosphide
quantum dot
semiconductor optical amplier
metalorganic vapor phase epitaxy
indiumarsenidi
indiumfosdi
indiumgalliumarsenidifosdi
kvanttipiste
optinen puolijohdevahvistin
metallo-organinen kaasufaasiepitksia
Tiivistelmä (fin): Tämä diplomityö tutkii itseorganisoidusti valmistettuja InAs kvanttipisteitä InGaAsP:n ja InP päällä.
Työn tavoitteena on ollut sellaisen kvanttipisterakenteen valmistaminen, joka soveltuu optiseen puolijohdevahvistimeen (SOA) tietoliikenneaallonpituuksilla.
Työtä varten valmistettiin InAskvanttipistenäytteitä metallo-organisella kaasufaasiepitaksialla.
Työn näytteet karakterisoitiin fotoluminesenssi- ja atomivoimamikroskopiamittausmenetelmillä.

InAs-saarekkeiden koko ja tiheys optimoitiin ensiksi sopivaksi SOA-rakennetta varten valmistamalla itseorganisoituvia InAs-saarekkeita suoraan InP päälle.

Näitä tuloksia käytettiin optimoidun InGaAsP-kerroksen sisältävän rakenteen valmistuksessa.
Atomivoimamikroskopiamittaus paljasti, että optimoidun rakenteen InAs-saarekkeet olivat keskimäärin 10 nm korkeita ja 30 nm leveitä.
Kvanttipisteiden luminesenssipiikin maksimi havaittiin 1.56 µm aallonpituudella 10 K lämpötilassa.
Tiivistelmä (eng): In this thesis, the properties of self-assembled InAs/InGaAsP/InP quantum dots (QD) have been investigated.
The focus of this work was to fabricate such a structure that can be used in a telecommunication wavelength semiconductor optical amplifier (SOA).
The examined InAs QD samples were fabricated by metalorganic vapor-phase epitaxy technique.
Photoluminescence (PL) and atomic force microscopy (AFM) were used in the characterization of the optical and the structural properties of the samples, respectively.
InAs island size and the areal density was first optimized for SOAs by growing self-assembled InAs islands directly on InP.
These results were used to finalize the structure containing also InGaAsP waveguide layer.
The AFM results of the final structure show that InAs islands were grown quite homogenously on InGaAsP with an average height of 10 nm and an average base diameter of 30 nm.
The low temperature PL peak of InAs/InGaAsP/InP quantum dots was tuned to 1.56 µm wavelength.
ED:2010-05-05
INSSI tietueen numero: 39549
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI