haku: @supervisor Savin, Hele / yhteensä: 13
viite: 10 / 13
Tekijä: | Aurientis, Martin |
Työn nimi: | Interdigitated Back Contact n-Type Solar Cell with Black Silicon Anti-Reflecting Layer: Simulations and Experiments |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2014 |
Sivut: | 64 s. + liitt. 9 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Mikro- ja nanotekniikan laitos |
Oppiaine: | Micro- and Nanoelectronics (S3010) |
Valvoja: | Savin, Hele |
Ohjaaja: | Gastrow, Guillaume von |
Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201409012586 |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark Aalto 1675 | Arkisto |
Avainsanat: | solar cell IBC BC-BJ black silicon ATLAS Silvaco simulation |
Tiivistelmä (eng): | In this work, we have processed as a reference n-type IBC cells with random pyramids on high quality float-zone silicon wafer. The front surface is passivated with Al2O3 grown by atomic layer deposition. The same structure is simulated with the software Silvaco ATLAS. The simulated IV-characteristic fits the experimental curve in the dark and under AM1.5G with a relative error below 1%. Previous measurements on minority carrier lifetime experiments on black silicon samples passivated with 20nm Al2O3 layer have resulted in an effective surface recombination velocity below 5 cm/s. This value was used to simulate IBC cells with black silicon by adjusting the above-mentioned ATLAS model in order to see the impact of black silicon on the solar cell efficiency. The results show an increase in short-circuit current (Isc) of 6mA and efficiency of 0.3% at normal incidence. Simulation reveals that a lower front surface recombination velocity would not significantly increase the efficiency of the cell. Furthermore, the simulations reveal that the emitter passivation is a critical parameter to increase further the efficiency of the cell. |
ED: | 2014-09-21 |
INSSI tietueen numero: 49725
+ lisää koriin
INSSI