haku: @instructor Suihkonen, Sami / yhteensä: 8
hakutulos-lista
viite: 2 / 8
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Särkijärvi, Suvi
Työn nimi:Atomic layer deposition growth of epitaxial zinc oxide
Epitaktisen sinkkioksidin valmistus atomikerrosdepositiomenetelmällä
Julkaisutyyppi:Lisensiaatintutkimus
Julkaisuvuosi:2014
Sivut:viii + 71      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkötekniikan korkeakoulu
Oppiaine:
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Suihkonen, Sami
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201409252668
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  1703   | Arkisto
Avainsanat:atomic layer deposition
ALD
epitaxial ZnO
atomikerrosdepositio
epitaktinen ZnO
Tiivistelmä (fin):Tässä työssä esitetään sinkkioksidin (ZnO), atomikerrosdeposition (ALD) sekä ALD-menetelmällä valmistetun epitaktisen sinkkioksidin perusominaisuukset.
Lisäksi raportoidaan ALD-menetelmällä GaN-alustan päälle valmistettujen ZnO-kalvojen epitaktisuudesta.
Lähtöaineina käytettiin dietyylisinkkiä (DEZn) ja vesihöyryä (H2O).
ZnO kalvojen rakennetta ja laatua tutkittiin elektronisuihkumikroskoopilla (SEM), atomivoimamikroskoopilla (AFM), röntgendiffraktiolla (XRD), fotoluminesenssimittauksilla (PL) ja positroniannihilaatiospektroskopialla.
ZnO-kalvojen todettiin olevan rakenteeltaan epitaktisia ja kalvon laadun parantuvan valmistuslämpötilaa nostettassa kaksiulotteisen kasvun kynnyslämpötilan ympäristössä.
Vastoin edellisiä raportteja lämpökasittely ei parantanut kalvojen laatua, vaan tuhosi kalvot.
Johtopäätöksenä toteamme, että korkealaatuisia ZnO-ohutkalvoja voidaan valmistaa ALD-menetelmällä.
Vastoin odotuksia kalvoissa havaittiin vain yksittäisiä sinkkivakansseja, vaikka ZnO-kalvot sisältävät tyypillisesti suurehkoja määriä kuoppia ja vakanssiryppäitä.
Tiivistelmä (eng):In this work the basic characteristics of ZnO, atomic layer deposition (ALD) and epitaxial ZnO growth by ALD are presented, followed by the experimental results of the epitaxial growth of ZnO on GaN template by ALD.
Diethylzinc (DEZn) and water vapour (H2O) were used as precursors.
The structure and the quality of the grown ZnO layers were studied with scanning electron microscope (SEM), atomic force microscope (AFM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL) measurements and positron annihilation spectroscopy.
The ZnO fims were confrmed epitaxial, and the film quality was found to improve with increasing deposition temperature in the vicinity of the threshold temperature of two dimensional growth.
Contrary to previous reports, high-temperature annealing did not enhance the film properties but rather damaged the film.
We conclude that high quality ZnO thin films can be grown by ALD.
Interestingly only separate Zn-vacancies were observed in the films, although ZnO thin films typically contain fairly high density of surface pits and vacancy clusters.
ED:2014-10-05
INSSI tietueen numero: 49824
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI