haku: @keyword BSIM3 / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Saijets, Jan |
Työn nimi: | NMOS Transistor Modeling At Radio Frequencies |
NMOS transistorimallitus radiotaajuuksilla | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1998 |
Sivut: | 64 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Porra, Veikko |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | modeling radio frequency MOS MSOFET CMOS mallitus radiotaajuus RF MOS Model 9 MOS9 BSIM3 BSIM3v3 |
Tiivistelmä (fin): | Diplomityössä on tutkittu kahden (2) MOS mallin, MOS Model 9 ja BSIM3v3:n, tarkkuutta radiotaajuuksilla (RF) vertailemalla S-parametrien simulointeja mittaustuloksiin, kun transistorit on kytketty kaksiportiksi. Täydellinen joukko transistoreita MOSFET karakterisointiin valmistettiin VTT 0.8 mikrometrin BiC-MOS ja AMS 0.8 mikrometrin CMOS teknologialla. Molemmille teknologioille ja malleille tehtiin DC ja AC ekstraktointi käyttämällä APLAC-simulaattoria ja sen kuvauskielellä tehtyjä ohjelmia. AC ekstraktointi tehtiin sovittamalla S-parametrejä 300 MHz - 10 GHz:n taajuusalueella. MOS Model 9:n DC-malli osoittautui vähän tarkemmaksi, jolloin myös suurtaajuusominaisuudet - S-parametrien S_21 ja S_22 sovitukset - olivat jonkun verran paremmat kuin BSIM3v3:ssa. Siinä puolestaan AC malli oli parempi, joka kompensoi DC sovituksen tarkkuuden puutetta, sovittaen S-parametrit S_11 ja S_12 paremmin kuin MOS Model9 -malli. RF-ominaisuudet olivat kummallakin mallilla käytännössä yhtä hyvät. |
ED: | 1998-07-21 |
INSSI tietueen numero: 13440
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI