haku: @keyword gate oxide / yhteensä: 1
hakutulos-lista
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Kallio, Eeva
Työn nimi:Electrical characterization of thin ALCVD grown high K oxides
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1999
Sivut:71      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Elektronifysiikka   (S-69)
Valvoja:Kuivalainen, Pekka
Ohjaaja:
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:gate oxide
high K
MOS
MIS
C-V measurement
ALCVD
Tiivistelmä (fin):Työn teoriaosassa on käsitelty lyhyesti MIS-rakenteen käyttäytymistä eri jännitealueilla, oksidin ja rajapinnan varauksia, sekä oksidin vuotovirta- ja läpilyöntimekanismeja.
Kirjallisuuskatsaus korkean permittiivisyyden oksideista muodosti suuren osan työstä.
Huomio keskitettiin piisubstraatille kasvatettuihin alle 100 nm oksideihin, jotka oli karakterisoitu sähköisin mittauksin.
Käsitellyt oksidit olivat alumiinioksidi Al_(2)O_(3), ceriumdioksidi CeO_(2), hafniumdioksidi HfO_(2), tantaalioksidi Ta_(2)O_(5), titaanidioksidi TiO_(2), yttriumoksidi Y_(2)O_(3) ja zirkoniumdioksidi ZrO_(2).
Lisäksi luvun lopussa on esitelty muutamia sekaoksideja ja kerrostettuja oksidirakenteita.

Työn kokeellisessa osassa kasvatettiin ALCVD-menetelmällä (atomic layer chemical vapor deposition) eri oksidimateriaaleja (Al_(2)O_(3), ZrO_(2), Y_(2)O_(3), ZrAlO_(x), ZrTaO_(x) ja ZrYO_(x)) n-tyyppiselle piisubstraatille ja karakterisoitiin näytteiden sähköiset ominaisuudet kapasitanssi-jännite- ja virta-jännite -mittauksin.
Ohuimmat valmistetuista kalvoista olivat 5 nm luokkaa.

Mittaustuloksissa havaittiin selvästi permittiivisyyden riippuvan oksidin paksuudesta Alumiinioksidilla permittiivisyys saavutti bulk-arvon jo suhteellisen ohuilla kalvoilla, mutta zirkoniumdioksidin permittiivisyyden riippuvuus oksidin paksuudesta oli lineaarinen, eikä saturoitumista ollut havaittavissa.
Ongelmaksi muodostui piisubstraatin natiivioksidi, joka pienensi MIS-rakenteen kapasitanssia Natiivioksidia yritettiin poistaa ennen kasvatusta, mutta mittaustuloksista päätellen oksidi kasvoi ainakin osittain piin rajapintaan takaisin.
ED:1999-06-03
INSSI tietueen numero: 14333
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI