haku: @author Prunnila, Mika / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Prunnila, Mika |
Työn nimi: | Low-dimensional Silicon Structures on SOI Substrate |
Yksi- ja kaksiulotteiset piirakenteet SOI substraatilla | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 77 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Laskennallinen tekniikka (S-114) |
Valvoja: | Tulkki, Jukka |
Ohjaaja: | Ahopelto, Jouni |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | SOI MOS quantum point contact Hall-effect weak localization kvanttipistekontakti Hall ilmiö heikko lokalisaatio |
Tiivistelmä (fin): | Tässä diplomityössä käsitellään piikvanttipistekontaktien ja Hall-tankojen valmistusta sekä näiden sähköisiä ominaisuuksia. Näytteet on valmistettu SOI-kiekolle (Silicon-On-Insulator). Valmistusprosessissa käytettiin CMOS-piirien valmistusmenetelmiä sekä elektronisuihkulitografiaa. Elektronisuihkulitografialla kuvioitiin kvanttipistekontaktien kavennukset. TEM analyysin sekä AFM kuvien perusteella kavennusten efektiivinen halkaisija oli noin 30-40 nm. SOI-kerroksen sähköiset ominaisuudet saatiin Hall-mittauksista. Näiden mittausten perusteella 60 nm paksussa SOI kerroksessa elektronien liikkuvuus ok 9000 cm[2]/Vs 10 K lämpötilassa. Heikko lokalisaatio ilmiön perusteella pystyttiin määräämään elektronien vaihe-relaksaatio matka. Pienen kentän Hall-mittausten avulla 4.2 K lämpötilassa vaihe-relaksaatiomatkan arvioitiin olevan luokkaa 500 nm. Kvanttipiste kontaktin konduktanssissa oli nähtävissä porrasmaista rakennetta 1.5 K lämpötilassa. Kun lämpötila laskettiin 200 mK:iin, konduktanssissa nähtiin UCF fluktuaatioita (Universal Conductance Fluctuations). |
ED: | 1999-12-20 |
INSSI tietueen numero: 15004
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI