haku: @keyword Ta2N / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Riekkinen, Tommi |
Työn nimi: | Tantaaliyhdisteisiin perustuvat ohutkalvovastukset ja diffuusiovallit |
Tantalum based thin film resistors and diffusion barriers | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2001 |
Sivut: | 73 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Materiaali- ja kalliotekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektroniikan valmistustekniikka (S-113) |
Valvoja: | Kivilahti, Jorma |
Ohjaaja: | Molarius, Jyrki |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark V80 | Arkisto |
Avainsanat: | thin film resistor diffusion barrier beta-Ta Ta2N TaN TaC sputtering temperature coefficient of resistance (TCR) ohutkalvovastus diffuusiovalli beta-Ta Ta2 TaN TaC sputterointi vastuksen lämpötilakerroin (TCR) |
ED: | 2002-07-15 |
INSSI tietueen numero: 18871
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI