haku: @keyword p-i-n -diodi / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Lankinen, Aapo |
Työn nimi: | Puolijohderöntgendetektorien laskennallinen mallinnus |
Simulation of semiconductor x-ray detectors | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2003 |
Sivut: | iv + 41 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Tuomi, Turkka |
Ohjaaja: | Sipilä, Heikki |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | x-ray detector pin-diode dark current multidimensional Newton iteration silicon galliumarsenide germanium röntgendetektori p-i-n -diodi puolijohde heterorakenne pimeävirta moniulotteinen Newtonin iteraatio pii galliumarsenidi germanium |
Tiivistelmä (fin): | Työssä kehitettiin tietokoneohjelma, jolla voidaan laskea puolijohteiden perusyhtälöiden avulla p-i-n -röntgendetektorien virrantiheyspotentiaalikäyriä. Ohjelmalla voidaan myös laskea diodin sisäisen potentiaalin muotoa ja varauksenkuljettajakonsentraatioita diodin reunasta mitatun matkan funktiona. Ohjelma laskee yksiulotteisia puolijohderakenteita, ja se perustuu puolijohteiden perusyhtälöistä diskretoimalla muodostettuun differenssiyhtälöryhmään. Differenssiyhtälöryhmä ratkaistaan moniulotteisen Newtonin iteraation avulla, mihin käytetään Gaussin algoritmiin perustuvaa lineaarisen yhtälöryhmän ratkaisualgoritmia. Piistä tehdylle p-i-n -diodille laskettuja numeerisia tuloksia verrattiin analyyttisiin, ja todettiin, että analyyttisen mallin puutteet huomioiden tulokset olivat hyvin yhteensopivia. Shockley-Read-Hall -rekombinaation ja diodin i-kerroksen paksuuden todettiin vaikuttavan piidiodin vuotovirrantiheyteen voimakkaasti. Heterorakenteita tutkittiin kuvitteellisen pii-germanium-pii-diodin ja fysikaalisesti realistisen galliumarsenidi-germanium-galliumarsenidi -diodin avulla. Heterorakenteen todettiin pienentävän molemmissa tapauksissa diodin vuotovirrantiheyttä verrattuna pelkästään germaniumista tehtyyn diodiin. Lisäksi i-kerroksen paksuuden vaikutus vuotovirtaan selvitettiin. |
ED: | 2003-06-30 |
INSSI tietueen numero: 19738
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI