haku: @author Törmä, Pekka / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Törmä, Pekka |
Työn nimi: | Galliumnitridi- ja alumiinigalliumnitridipohjaisten laserrakenteiden prosessointi ICP-menetelmällä |
ICP processing of gallium nitride and aluminium gallium nitride for laser structures | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2006 |
Sivut: | vi + 73 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Lipsanen, Harri |
Ohjaaja: | Svensk, Olli |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | gallium nitride aluminium gallium nitride etching semiconductor laser galliumnitridi alumiinigalliumnitridi ICP etsaus puolijohdelaser SEM |
Tiivistelmä (fin): | Tässä diplomityössä tutkittiin galliumnitridin ja alumiinigalliumnitridin prosessointia induktiivisesti kytketyllä plasmaetsauksella (ICP) laserrakenteiden valmistamista varten. Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa. Etsattujen rakenteiden profiilien ja pinnan morfologian tutkimiseen käytettiin elektronimikroskooppia, atomivoimamikroskooppia ja profilometria. Pientenkin etsauskammion happipitoisuuksien havaittiin aiheuttavan epätasaisen etsatun pinnan A1GaN:a etsattaessa. Tästä johtuen piidioksidimaski ei sovellu alumiinia sisältävien rakenteiden etsaukseen. Nikkelimaskia voidaan käyttää sekä GaN:n että A1GaN:n kanssa. GaN-seinämien todettiin etsautuvan tasaisesti C12/Ar-plasmalla. Korkealaatuisia A1GaN-rakenteita etsattaessa C12/Ar-plasmaan on lisättävä joko BC13:a tai SiC14:a estämään epätasaisen pinnan syntymistä. Prosessoiduilla A1GaN-näytteillä (alumiinipitoisuus 16 %) BC13:n kaasuvirtauksen osuuden oli oltava vähintään 20 % C12:n ja BC13:n virtausten yhteismäärästä. SiC14:n tapauksessa tarvittava virtausosuus oli vähintään 6,7 %. Prosessiparametrit lämpötilalle, paineelle, ionienergialle ja plasmatiheydelle määriteltiin suuren etsausnopeuden ja tasaisten etsausprofiilien saavuttamiseksi. Optimoidulla prosessilla valmistettiin optisesti pumpattu 400 nm aallonpituudella toimiva GaN-pohjainen puolijohdelaser. |
ED: | 2006-02-27 |
INSSI tietueen numero: 30674
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI