haku: @keyword cryogenic etching / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Sainiemi, Lauri |
Työn nimi: | Deep Reactive Ion Etching for Microfluidic Structures |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2006 |
Sivut: | 82 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optiikka ja molekyylimateriaalit (S-129) |
Valvoja: | Tittonen, Ilkka |
Ohjaaja: | Franssila, Sami |
Digitoitu julkaisu: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/93494 |
OEVS: | Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | deep reactive ion etching microfluidics cryogenic etching high aspect ratio structures silicon syvä reaktiivinen ionietsaus mikrofluidistiikka kylmäetsaus korkean aspektisuhteen rakenteet pii |
Tiivistelmä (fin): | Tämän diplomityön ensimmäinen osa keskittyy kylmässä tapahtuvan, tiheää SF6/O2 plasmaa käyttävän, piin syvän reaktiivisen ionietsaus prosessin karakterisointiin. Työssä tutkittiin laiteparametrien vaikutusta etsaustulokseen. Tutkimuksen tuloksena suurin saavutettu etsausnopeus nousi 4:stä µm/min 7,6:iin µm/min. Diplomityön toisessa osassa keskitytään hyödyntämään syvä ionietsaus prosessia mikrofluidististen laitteiden valmistuksessa. Kanneton kapillaarivoimilla täyttyvä kanava suunniteltiin, valmistettiin ja testattiin. Kokeet fluoresoivilla merkkiaineilla osoittivat, että korkean aspektisuhteen mikropilarit kanavan pohjalla saavat aikaan kapillaarivirtauksen. DIOS kokeita tehtiin sekä mustasta että huokoisesta piistä valmistetuista näytealustoista ja tuloksia verrattiin toisiinsa. Mustan piin helppo valmistusprosessi tekee siitä houkuttelevan materiaalin DIOS sovelluksiin. |
ED: | 2006-03-31 |
INSSI tietueen numero: 31470
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI