haku: @instructor Nagarajan, S. / yhteensä: 1
hakutulos-lista
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Lehtola, Lauri
Työn nimi:Epitaxial overgrowth of nanopillar patterned gallium nitride
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2013
Sivut:[6] + 57      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Teknillisen fysiikan laitos
Oppiaine:Optiikka ja molekyylimateriaalit   (Tfy-125)
Valvoja:Kaivola, Matti
Ohjaaja:Sopanen, Markku ; Nagarajan, S.
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  161   | Arkisto
Avainsanat:gallium nitride
nanopillar
MOVPE
nickel mask
galliumnitridi
nanopilari
MOVPE
nikkelimaski
Tiivistelmä (fin): Tässä diplomityössä tutkittiin nanopilareiden valmistusta galliumnitridistä (GaN) ja näiden nanopilareiden uudelleenkasvatusta metallo-orgaanisella kaasufaasiepitaksialla (MOVPE).
Osana työtä nanopilareiden päälle kasvatettiin kvanttikaivorakenne, joka viritettäessä emittoi valoa.
Nanopilareita tutkittiin pyyhkäisyelektronimikroskoopilla, ja kvanttikaivorakenteiden optisia ominaisuuksia selvitettiin fotoluminesenssimittauksin.
Diplomityö tehtiin Optoelektroniikan tutkimusryhmässä, Mikro- ja nanotekniikan laitoksessa, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulussa.

Galliumnitridinanopilarit valmistettiin induktiivisesti kytketyllä plasmaetsauksella (ICP) käyttämällä itse järjestyviä nikkelimaskeja.
Menetelmä sopii hyvin kokonaisten kahden tuuman kiekkojen kuviointiin.
Maskin muodostavien nanosaarekkeiden kokoon voidaan vaikuttaa muuttamalla nikkelikerroksen paksuutta.

Etsattujen nanopilareiden päälle kasvatettiin ohuita GaN-kerroksia MOVPE menetelmällä erilaisissa kasvuolosuhteissa.
Alhainen paine sekä keskisuuret lämpötila ja V/III-prekursoreiden suhde tuottivat kuusikulmaisia nanopilareita, joiden pinnat olivat hyvin sileitä.
Nanopilareiden pystyseinämien ja päätyjen väliin muodostuvan kallistuneen pinnan kokoa pystyttiin kontrolloimaan kasvuolosuhteita muuttamalla.

Työn viimeisessä vaiheessa nanopilareiden päälle kasvatettiin kvanttikaivorakenne.
Kun kvanttikaivoja viritettiin 325 nm laserilla, ne emittoivat valoa 385 nm:n, 457 nm:n ja 490 nm:n aallonpituuksilla.
Tiivistelmä (eng): In this Master's thesis work the fabrication of gallium nitride (GaN) nanopillars and their overgrowth with metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) was investigated.

In addition, a quantum well structure capable of emitting light was grown on top of the nanopillars.
The structural properties of the nanopillars were studied using scanning electron microscopy, and the optical properties of the quantum well structures were examined using photoluminescence measurements.
The research was carried out in Optoelectronics research group at the department of Micro and Nanosciences, Aalto School of Electrical Engineering.

The GaN nanopillar templates were fabricated by inductively-coupled plasma (ICP) etching using self-assembling nickel nanoisland masks.
The method is suitable for patterning a whole 2" wafer.
The nanoisland diameter can be controlled with the nickel layer thickness.

Thin layers of GaN were grown on top of the nanopillar templates in various growth conditions using MOVPE.
The combination of intermediate temperature and V/III ratio with low pressure yielded in hexagonal nanopillars with smooth surfaces.
The size of inclined planes between the top and side walls could be controlled up to some point by varying the growth conditions.

In the final step a quantum well structure was grown on top of a nanopillar template.
When the quantum wells were excited using a 325 nm laser they were observed to emit at the wavelengths of 375 nm, 475 nm and 490 nm.
ED:2013-09-05
INSSI tietueen numero: 47167
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI