haku: @keyword NOR / yhteensä: 1
viite: 1 / 1
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Ainola, Eppu |
Työn nimi: | Ohjelmiston latausaseman suunnittelu taajuusmuuttajien massatuotantoon |
Firmware uploading station for the use in mass production of variable-frequency drives | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2013 |
Sivut: | viii + 66 s. + liitt. 26 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan korkeakoulu |
Oppiaine: | Teollisuuselektroniikka (S3007) |
Valvoja: | Ovaska, Seppo |
Ohjaaja: | Mäkilä, Jari |
Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201401101096 |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark Aalto 1075 | Arkisto |
Avainsanat: | industrial production equipment Flash NAND NOR teollisuuden tuotantolaite |
Tiivistelmä (fin): | Työssä tutustutaan Flash-muistiteknologiaan ja suunnitellaan asema, joka lataa ohjelmiston taajuusmuuttajan Flash-muistiin. Flash-muistien käsittely rajataan kahteen yleisimpään tyyppiin: NAND- ja NOR-muisteihin. Flash-muisteja tarkastellaan perusteiden lisäksi siltä kannalta, että voidaanko taajuusmuuttajissa siirtyä käyttämään NAND-tyyppistä Flash-muistia nykyisen NORin sijaan, ja kuinka suuri operaatio on elektroniikan ja vaadittavien ohjelmistojen kannalta. Latausasema suunnitellaan tukemaan usean taajuusmuuttajan yhtäaikaista ohjelmointia tuotannon tehostamiseksi. Se on tarkoitus ottaa käyttöön työn toimeksiantajan tuotantolinjalla. Työ keskittyy latausaseman elektroniikan ja ohjelmiston suunnitteluun. Mekaniikka ja laitteen käyttöönotto eivät kuulu työn rajaukseen. Flash-muisteja tutkitaan tieteellisten julkaisujen, alan kirjallisuuden ja muistivalmistajien datalehtien sekä sovellusohjeiden perusteella. Valmistajien julkaisemaa tietoa käytetään Flash-muistien nykyaikaisten ominaisuuksien selvittämiseen. Latausasema toteutettiin käyttäen mahdollisimman paljon toimeksiantajalla olevaa teknologiaa sekä painottaen helppoa ylläpidettävyyttä. Työn tuloksena todetaan NANDien olevan varteenotettava vaihtoehto teollisuudessa, erityisesti jos pidättäydytään NAND-muisteissa, jotka tallentavat vain yhden bitin tietoa yhteen muistisoluun, eli ovat yksitasoisia. Latausasemalla saavutetaan kuusinkertainen ohjelmiston latausnopeus samalla tehtaan pinta-alalla kuin mitä laitteen edeltäjä vaatii. |
Tiivistelmä (eng): | This thesis examines Flash memory technology and a firmware uploading station for variable-frequency drives is designed. Only two of the most common Flash memory types are considered: NAND and NOR. It is investigated, could NAND type Flash memories be used in industrial applications instead of NOR, and how difficult would the migration be. The device is designed to support uploading firmware to multiple variable-frequency drives simultaneously. It is intended to be used in an actual factory environment. The focus is on the design of electronics and software for the station. Mechanical and deployment aspects are not included. Flash memories are studied from scientific articles, appropriate literature, and the datasheets and application notes published by various memory manufacturers. Information from the datasheets is useful in learning the properties of the latest Flash memory integrated circuits. The firmware uploading station is implemented by using existing technology as widely as possible and focusing on the ease of maintenance of the device. It is concluded that NAND type Flash memories could be used in industrial applications, especially if single level cell NAND memories are used. Single level cell means that each memory cell stores only one bit of information. The uploading station achieves sixfold throughput when compared to its predecessor which has similar mechanical dimensions. |
ED: | 2014-01-19 |
INSSI tietueen numero: 48429
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI