haku: @keyword schottky-diodi / yhteensä: 10
viite: 5 / 10
Tekijä: | Kiuru, Tero |
Työn nimi: | Characterisation and modelling of Schottky and Gunn diodes for mm-wave applications |
Schottky- ja Gunn-diodien karakterisointi ja mallinnus millimetriaaltosovelluksia varten | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2006 |
Sivut: | 87 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Radiotekniikka (S-26) |
Valvoja: | Räisänen, Antti |
Ohjaaja: | Mallat, Juha |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | Schottky diode Gunn diode millimeter waves diode equivalent circuit Schottky-diodi Gunn-diodi millimetriaallot diodin sijaiskytkentä |
Tiivistelmä (fin): | Tässä diplomityössä on kehitetty sijaiskytkentä kolmelle erilaiselle Schottkysekoitindiodille ja ruuvipakkaukseen integroidulle Gunn-diodille. Sijaiskytkennät on suunniteltu toimimaan kaupallisissa piirisimulaattoreissa. Schottky- ja Gunndiodit on suunniteltu toimimaan millimetriaaltoalueella. Työn ensimmäisessä osassa Schottky-diodin toimintaa ja ominaisuuksia on tutkittu kattavin mittauksin. Sijaiskytkennän komponenttien arvot on saatu teoreettisten laskelmien ja piirisimulaattorin optimointimenetelmien avulla. Sijaiskytkennän toiminta sekoitinpiirissä on osoitettu. Fysikaalinen perusta Schottky-diodin toiminnalle ja kirjallisuuskatsaus Schottky-diodeista on esitetty. Työn jälkimmäisessä osassa on tutkittu pakatun Gunn-diodin taajuusvastetta sähkömagneettisen 3D-simulaattorin avulla. Gunn-diodin pakkauksen reaktiiviset elementit on selvitetty piirisimulaattorin optimointimenetelmien avulla ja sijaiskytkentä pakatulle Gunn-diodille on kehitetty. Gunn-diodien ja Gunnoskillaattoreiden teoreettinen perusta on esitetty. |
ED: | 2006-09-19 |
INSSI tietueen numero: 32381
+ lisää koriin
INSSI