haku: @keyword gallium arsenide / yhteensä: 10
viite: 8 / 10
| Tekijä: | Ahopelto, Jouni |
| Työn nimi: | Atomic Layer Epitaxy of III-V Compound Semiconductors in a Hydride Vapor Phase System |
| 3-5 yhdistepuolijohteiden kasvattaminen atomikerrosepitaksialla kaasufaasista | |
| Julkaisutyyppi: | Lisensiaatintutkimus |
| Julkaisuvuosi: | 1991 |
| Sivut: | 54 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan osasto |
| Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
| Valvoja: | Sinkkonen, Juha |
| Ohjaaja: | Suni, Ilkka |
| OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | atomic layer epitaxy (ALE) gallium arsenide |
| ED: | 1995-01-27 |
INSSI tietueen numero: 9871
+ lisää koriin
INSSI