haku: @keyword mixer / yhteensä: 11
hakutulos-lista
viite: 7 / 11
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Seppinen, Pauli
Työn nimi:Pienen viivanleveyden CMOS-teknologialla toteutettu suoramuunnosvastaanottimen etuaste
A direct conversion RF front-end implemented with submicron CMOS technology
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1999
Sivut:65      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Piiritekniikka   (S-87)
Valvoja:Halonen, Kari
Ohjaaja:Alinikula, Petteri
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:CMOS
LNA
mixer
direct conversion
CMOS
LNA
sekoitin
suoramuunnosvastaanotin
Tiivistelmä (fin):Työssä toteutettiin digitaalisuunnitteluun tarkoitetulla 0,21 mikrometriä CMOS-teknologialla suoramuunnosvastaanottimen etuaste.
Toteutus aloitettiin tutustumalla kirjallisuustutkimuksen avulla MOS-transistorin lyhytkanavailmiöihin.
Radiotaajuisten piirien toteutukseen CMOS-teknologialla liittyviä ongelmia mietitään mallien, komponenttien ja piiriratkaisujen kannalta.
Työssä tuodaan esiin suoramuunnosvastaanottimen etuja ja ongelmia ja miten nämä vaikuttavat piirisuunnitteluun.
Lisäksi työssä pohditaan piirikuvioon liittyviä aiheita.

Työssä suunniteltuja piirilohkoja ovat vähäkohinainen vahvistin sekä FET-rengassekoitin.
Simulointien perusteella vähäkohinaisen vahvistimen vahvistukseksi saatiin 19 dB ja kohinaluvuksi saatiin 2,2 dB.
Sekoittimen jännitevaimennukseksi ja kohinaluvuksi simuloitiin 2,8 dB ja 7,3 dB.
Koska puolijohdevalmistajalla oli ongelmia piirin valmistamisessa, ei piirien simulointituloksia päästy tarkistamaan.
Työssä mitattiin kuitenkin samalla prosessilla toteutettu kela ja transistori sekä RFCMOS-prosessilla toteutettu transistori.
Kelan mittaustuloksia verrataan alkuperäiseen malliin ja mittaustuloksien perusteella sovitettuun malliin.
Sovitetun mallin simulointitulokset ja kelan mittaustulokset vastaavat hyvin toisiaan.
Mitatun transistorin virta-jännite-ominaiskäyrästö ei vastannut simulointeja.
Lisäksi mitatut S-parametrit osoittavat vahvistuksen olevan ainakin 4 dB simuloitua pienempi.
Mallien huonouden vuoksi piirin toiminnassa on odotettavissa selviä puutteita.
RFCMOS-prosessilla toteutetun transistorin mitatut S-parametrit vastasivat sitä vastoin hyvin simuloituja S-parametrejä.
Työssä käytetyn CMOS-teknologian tehokas hyödyntäminen RF suunnitteluun vaatisi uusien mallien tekemistä.
ED:1999-07-21
INSSI tietueen numero: 14684
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI