haku: @keyword oscillator / yhteensä: 11
viite: 6 / 11
Tekijä: | Rantakari, Pekka |
Työn nimi: | Integroidun mikromekaanisen oskillaattorin toteuttaminen CMOS- ja SOI-teknologialla |
Implementation of micromechanical oscillator using CMOS and SOI technologies | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2004 |
Sivut: | 89 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Mittaustekniikka (S-108) |
Valvoja: | Tittonen, Ilkka |
Ohjaaja: | Koskenvuori, Mika |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | micromechanics oscillator MEMS SOI CMOS mikromekaniikka oskillaattori MEMS SOI CMOS |
Tiivistelmä (fin): | Työssä suunniteltiin ja valmistettiin mikromekaanisella resonaattorilla ja CMOS-vahvistinpiirillä toteutettu oskillaattori. Oskillaattorin vahvistinpiiri mitoitettiin SOI-teknologialla valmistetun resonaattorin ominaisuuksien perusteella siten, että se vastaisi vaihekohinaltaan GSM-puhelimen 13 MHz:n referenssioskillaattorin suorituskykyä. Työssä esitetään oskillaattorin ja mekaanisen resonaattorin kannalta keskeiset teoreettiset tarkastelut, joiden pohjalta toteutettu Piercen oskillaattori voitiin suunnitella ja sen suorituskykyä arvioida. Teoreettisen tarkastelun tueksi oskillaattorin toiminta ja suorituskyky simuloitiin APLAC-piirisimulaattorilla. CMOS-prosessissa valmistettujen integroitujen vahvistimien suorituskyky analysoitiin mittaamalla niiden tasajännitetoiminta, taajuusvaste sekä kohinateho. Valmis oskillaattoripiiri rakennettiin PCB-alustalle liittämällä vahvistinpiirin sisältävä piisiru mikromekaanisen MEMS-sirun kanssa lankaliitoksilla. Toteutetun oskillaattorin suorituskyky todennettiin mittaamalla sen vaihekohinan spektri, pohjakohinan taso sekä tasavirtatehonkulutus. Oskillaattorin pohjakohinaksi mitattiin -147,2 dBc/Hz, joka saavutettiin tehonkulutuksella, jonka suuruus oli vain 250 µW. Oskillaattorin vaihekohinan mittaus rajoittui mittauslaitteiston dynaamiseen alueeseen (120 dB) antaen siis vaihekohinaksi alle -120 dBc/Hz 500 Hz etäisyydellä kantoaallosta. |
ED: | 2005-01-19 |
INSSI tietueen numero: 26669
+ lisää koriin
INSSI