haku: @keyword numeerinen mallinnus / yhteensä: 11
viite: 9 / 11
Tekijä: | Hakala, Mikko |
Työn nimi: | First principles modelling a silicon high-k oxide interface |
Pii ja korkeadielektrisen oksidin rajapinnan mallintaminen | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2004 |
Sivut: | 64+10 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
Valvoja: | Nieminen, Risto |
Ohjaaja: | Foster, Adam |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | first principles modelling MOSFET interface semiconductors hafnium oxide numeerinen mallinnus MOSFET rajapinta puolijohteet hafniumoksidi |
Tiivistelmä (fin): | Puolijohdeteollisuus pohjautuu vahvasti integroitujen piirien jatkuvaan kehitykseen. Näissä keskeisenä elementtinä on ollut piioksidi, joka on mahdollistanut nykyisten mikroprosessorien kehityksen. Lähitulevaisuudessa tämän materiaalin rajat kuitenkin tulevat vastaan, ja jotta laitteiden kehitystä voitaisiin jatkaa edelleen, täytyy piioksidi korvata niin sanotulla korkeadielektrisellä materiaalilla. Tässä työssä lupaavinta piioksidin korvaavaa kandidaattia, hafniumoksia, on mallinnettu numeerisesti. Mallintamiseen käytettiin tiheysfunktionaaliteoriaan pohjautuvaa Siesta-koodia ja DFT-GGA-menetelmää. Päätavoite työssä on tarkastella piin ja hafniumoksidin muodostamaa rajapintaa, erityisesti sen atomirakennetta sekä elektronitiloja. Tutkittu rajapinta on rakennettu kerros kerrokselta piialustan päälle. Jokainen kerros on laskennallisesti lämpökäsitelty ja sen jälkeen tuotu perustilaan viemällä lämpötila nollaan asteeseen. Tällä tavoin piipohjan päälle on rakennettu yksi kerros happea ja kolme kerrosta hafniumoksidia. Lopullinen tulos osoittaa, että rakenne ei ole vielä kolmen kerroksen jälkeen eristävä. Syynä ovat saturoitumattomat hafniumsidokset ja rakennetta tulee edelleen kasvattaa, jotta materiaalista tulee eristä. |
ED: | 2005-03-07 |
INSSI tietueen numero: 28139
+ lisää koriin
INSSI