haku: @keyword passivointi / yhteensä: 11
hakutulos-lista
viite: 8 / 11
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Bosund, Markus
Työn nimi:Galliumarsenidipinnan passivointi atomikerroskasvatustekniikalla
Passivation of GaAs Surface Using Atomic Layer Deposition
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2007
Sivut:71      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Tiilikainen, Jouni
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/urn:nbn:fi:tkk-009745
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:ALD
MOVPE
TiN
GaAs
quantum well
passivation
ALD
MOVPE
TiN
GaAs
kvanttikaivo
passivointi
Tiivistelmä (fin):Työssä tutkittiin Teknillisen korkeakoulun Mikro- ja nanotekniikan laboratoriossa MOVPE-menetelmällä valmistettujen pintakvanttikaivojen passivointia atomikerroskasvatusmenetelmällä (ALD).
Tutkimuksia varten Micronovan puhdastilan ALD-laitteistoon kehitettiin titaaninitridin valmistusprosessi.
Kvanttikaivonäytteet päällystettiin titaaninitridikalvoilla ja passivointivaikutusta tutkittiin fotoluminesenssimittauksin heti näytteiden valmistuksen jälkeen sekä uudelleen kuukauden kuluttua passivoinnin aikariippuvuuden arvioimiseksi.
Lisäksi tutkittiin sitä, miten erilaiset lämpökäsittelyt ja oksidikalvot vaikuttavat titaaninitridipassivoitujen pintakvanttikaivojen toimintaan.

Titaaninitridikerrosten ominaisuuksia tutkittiin tekemällä röntgenheijastusmittauksia galliumarsenidialustakiteen päälle valmistetuille kalvoille.
Mittauksilla saatiin selville kalvojen paksuudet, massatiheydet sekä pinnankarheudet.

Fotoluminesenssimittauksissa havaittiin, että titaaninitridikalvo aiheuttaa pintakvanttikaivoihin selvän passivointiefektin.
Kuukauden kuluttua mitattujen näytteiden ominaisuudet olivat heikentyneet, mutta paksummilla passivointikerroksilla heikentyminen ei ollut merkittävää.
Lisäksi havaittiin, että titaaninitridipäällystetyn pintakvanttikaivon päälle valmistetut oksidikalvot heikentävät passivointivaikutusta selvästi.
Lämpökäsittelytutkimuksissa selvisi, että titaaninitridipassivoidut pintakvanttikaivot eivät kestäneet yli 300 °C:n lämpökäsittelyä.
Tiivistelmä (eng):In this thesis, a atomic-layer-deposition (ALD) based titanium nitride (TiN) passivation method for gallium arsenide (GaAs) surface has been studied.
Near surface quantum wells (NSQWs) grown in the Micro and Nanosciences Laboratory by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) were used as an indicator for the passivation efficiency.
One part of this thesis was to develop and optimize a TiN process for the Micronova cleanroom ALD system.
The NSQW were covered by TiN and photoluminescence (PL) measurements were performed after growth and one month later in order to find out the time dependence of the passivation effect.
The effects of temperature treatments and oxide layers grown onto TiN passivated NSQWs were also investigated.

The properties (film thickness, mass density and roughness) of the TiN films were researched by growing thin layers on GaAs substrate and using X-ray reflectivity measurements.

The as-grown TiN coated quantum wells showed clear passivation effect in the PL measurements.
After one month the PL properties had weakened but not significantly if the passivation layers were thick enough.
Oxide films growth on TiN passivated NSQWs reduced the passivation effect clearly.
It was also found that TiN passivated NSQWs did not work well after a 300 °C temperature treatment.
ED:2007-09-14
INSSI tietueen numero: 34573
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI