haku: @keyword bonding / yhteensä: 11
viite: 3 / 11
Tekijä:Honkanen, Jenni
Työn nimi:Buried ion implanted layer in bonded silicon-on-insulator wafers
Haudattu ioni-istutettu kerros bondatuissa SOI (silicon-on-insulator) kiekoissa
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2011
Sivut:viii + 91      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Materiaalitekniikan laitos
Oppiaine:Materiaalitiede   (MT-45)
Valvoja:Hannula, Simo-Pekka
Ohjaaja:Haimi, Eero ; Mäkinen, Jari
Digitoitu julkaisu: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/99769
OEVS:
Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
Sijainti:P1 Ark Aalto  1870   | Arkisto
Avainsanat:ion implantation
bonding
silicon-on-insulator
ioni-istutus
bondaus
SOI kiekot
ED:2012-08-24
INSSI tietueen numero: 45113
+ lisää koriin
INSSI