haku: @keyword X-ray diffraction / yhteensä: 11
hakutulos-lista
viite: 3 / 11
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Tilli, Juha-Matti
Työn nimi:Composition determination of quaternary GaAsPN
Neliyhdistepuolijohde GaAsPN:n koostumuksen määritys
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2014
Sivut:xi + 90 s. + liitt. 6      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkötekniikan korkeakoulu
Oppiaine:Mikro- ja nanotekniikka   (S3010)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Jussila, Henri
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201411032972
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  2408   | Arkisto
Avainsanat:GaAsPN
quaternary semiconductor
X-ray diffraction
Rutherford backscattering
photoreflectance
neliyhdistepuolijohde
röntgendiffraktio
Rutherford-takaisinsironta
fotoreflektanssi
Tiivistelmä (fin):30 nm ja 130 nm paksuja Ga(As)PN-epikerroksia kasvatettiin GaP-substraatille, joiden avulla tutkittiin onko mahdollista määrittää kerrosten koostumus mittaustekniikoilla joita ei tavanomaisesti käytetä neliyhdistepuolijohteen koostumusmääritykseen.
Erityisesti tekniikat jotka vaikuttivat lupaavimmilta olivat yhden kvasikielletystä (002)-heijastuksesta mitatun röntgendiffraktiokäyrän käyttäminen ja röntgenheijastuksella määritetyn elektronitiheyden käyttäminen röntgendiffraktiopiikin sijainnin lisäksi.
Tämän heijastuksen intensiteetti muuttuu arseenipitoisuuden funktiona, mikä sallii kahden koostumusriippuvaisen vapaan muuttujan määrittämisen.
Saatuja kerrosten koostumuksia vertaillaan tarkkoihin referenssiarvoihin, jotka on saatu Rutherford-takaisinsirontaspektroskopialla yhdistettynä ydinreaktioanalyysimittauksiin.
Tulokset paljastavat, että röntgendiffraktiomenetelmä yliarvioi arseeni- ja typpipitoisuuksia arseenipitoisuuden virheen ollen noin 0.12 ja typpipitoisuuden virheen 0.025 30 nm paksuille kerroksille, mutta tarkkuutta voidaan parantaa.
Röntgenheijastukseen ja röntgendiffraktioon pohjautuva menetelmä on tarkempi arseenipitoisuuden virheen ollen noin 0.05 ja typpipitoisuuden virheen 0.01.
Lisäksi esitettiin menetelmä, jolla voidaan määrittää kerroksen koostumus fotoreflektanssilla invertoiden kaksitasoisen band anticrossing -mallin.
Menetelmä antaa koostumuksen, kun tiedetään transitioiden energiat valenssivyöltä jakautuneelle johtavuusvyölle.
Tiivistelmä (eng):30 nm and 130 nm thick Ga(As)PN epilayers were grown on a GaP substrate to study whether it is possible to determine their composition using various measurement techniques not typically used for quaternary material composition definition.
Specifically, the techniques that were most promising were using a single X-ray diffraction (XRD) scan of a quasi-forbidden (002) reflection and using X-ray reflectivity (XRR) electron density in addition to XRD peak location.
The intensity of this (002) reflection varies as a function of arsenic content, which allows having two free composition-related variables, peak intensity and location.
The obtained layer compositions are compared with accurate reference values obtained with Rutherford backscattering spectroscopy combined with nuclear reaction analysis measurements.
The results reveal that the XRD method overestimates the arsenic and nitrogen content with an error margin of about 0.12 in arsenic content and 0.025 in nitrogen content for the 30 nm thick films, but the accuracy can be improved by taking peak weakness into account.
The XRR and XRD based method is more accurate with accuracy being 0.05 in arsenic content and 0.01 in nitrogen content.
Furthermore, a method is demonstrated to determine the layer composition with photoreflectance inverting the two-level band anticrossing model to determine material composition based on the energies of the transitions from the valence band to the split conduction band.
ED:2014-11-09
INSSI tietueen numero: 50017
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI