haku: @keyword lämpötilariippuvuus / yhteensä: 12
viite: 8 / 12
Tekijä: | Holmberg, Heikki |
Työn nimi: | Temperature dependence of charge carrier lifetime in silicon |
Varauksenkuljettajien elinajan lämpötilariippuvuus piissä | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2002 |
Sivut: | ix + 64 s. + liitt. 9 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Sinkkonen, Juha |
Ohjaaja: | Yli-Koski, Marko |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | temperature dependence charge carrier lifetime capture cross-section and iron-boron pair lämpötilariippuvuus varauksenkuljettajien elinaika sieppaus pinta-ala ja rauta-boori pari |
Tiivistelmä (fin): | Diplomityö käsittelee lämpötilariippuvaa varauksenkuljettajien elinaikamittausta ja sen sopivuutta epäpuhtauksien havaitsemiseen. Vähäinenkin määrä epäpuhtautta aiheuttaa elinaikaan muutoksen, joka on helppo havaita. Tutkimuksessa elinaikaa mitattiin µ-PCD (microwave photoconductive decay) mittausmenetelmällä. Mittausmenetelmän hyvänä puolena on kontaktittomuus, jonka ansiosta näyte ei tuhoudu mittauksen aikana. Lämpötilariippuvalla µ-PCD menetelmällä pystytään määrittämään epäpuhtauden energiatason paikka kielletyssä energiavälissä. Mittaus mahdollistaa epäpuhtauden tunnistamisen, koska jokaisella epäpuhtaudella on tarkasti määritelty paikka tai paikat kielletystä energiavyössä. Työssä esitellään myös elinaikaan vaikuttavien suureiden lämpötilariippuvuus. Mittaustulosten ja teorian vertaamisen helpottamiseksi tehtiin tietokoneohjelma Matlabilla. Ohjelma tekee mittaustulosten ja teorian vertaamisen helpoksi. Ohjelma mahdollistaa elinajan laskemisen lämpötilan funktiona erilaisten reunaehtojen vallitessa. Ohjelma laskee epäpuhtauden energiatason mittaustuloksista, jos reunaehdot ovat sopivat. Erikoisominaisuutena ohjelmassa on kyky määrittää elinajan lämpötilariippuvuus, kun epäpuhtaudella on kaksi rekombinaatiokeskusta. Diplomityössä esitellään uusi menetelmä, jonka avulla voidaan erikoistapauksessa määrittää lämpötila riippuva sieppauspinta-ala varauksenkuljettajille. Menetelmä perustuu siihen tosiasiaan, että Shockley-Hall-Read elinaika on vakio matalissa lämpötiloissa. Diplomityössä menetelmällä määritetään lämpötila riippuvan rauta-boori parin elektronien sieppauspinta-ala. |
ED: | 2002-10-11 |
INSSI tietueen numero: 19019
+ lisää koriin
INSSI