haku: @keyword XRD / yhteensä: 13
hakutulos-lista
viite: 10 / 13
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Suihkonen, Sami
Työn nimi:Indiumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä
MOVPE growth of indium nitride
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2004
Sivut:59      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Sopanen, Markku
Ohjaaja:Sormunen, Jaakko
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:indium nitride
sapphire
MOVPE
metallic indium
nucleation layer
AFM
XRD
photoluminescen e
two-step growth method
annealing
indiumnitridi
safiiri
MOVPE
metallinen indium
ydintymiskerros
AFM
XRD
fotoluminesenssi
kaksivaiheinen kasvuprosessi
lämpökäsittely
Tiivistelmä (fin): Työssä valmistettiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa MOVPE-menetelmällä InN -puolijohdekerroksia safiiri (0001) -alustakiteille eri valmistusparametreilla.
Tutkimuksen kohteena oli kasvulämpötilan, V/III-suhteen sekä erilaisten kasvuprosessien vaikutus kerrosten kiderakenteeseen ja optisiin ominaisuuksiin.
Näytteiden pinnan morfologiaa tutkittiin atomivoimamikroskopialla, kiderakennetta röntgendiffraktiolla ja optisia ominaisuuksia fotoluminesenssimittauksin.

Mittauksissa havaittiin reaktiivisen indiumin määrän rajoittavan indiumnitridin kasvunopeutta V/III-suhteen välillä 2,95 x 104 - 7,73 x 103.
InN-kerrosten kidelaatu oli heikko, ja kerrokset koostuivat erillään kasvaneista saarekkeista.
Saarekkeiden koon ja pinnan epätasaisuuden havaittiin kasvavan kasvulämpötilaa nostettaessa välillä 550 °C - 650 °C.
Näytteet luminoivat energialla 0,75 - 0,78 eV.
Luminesenssipiikin maksimin havaittiin siirtyvän pinnemmalle energialle ja sen puoliarvoleveyden pienenevän kasvulämpötilaa nostettaessa.
Heksagonaalisen InN:n lisäksi näytteissä havaittiin metallista indiumia, jonka osuus lisääntyi kasvulämpötilaa nostettaessa.

Kaksivaiheisilla kasvuprosesseilla saavutettiin parempi kerrosten pinnan morfologia ja kidelaatu kuin suoraan alustakiteen päälle valmistetuilla kerroksilla.
Ydintymiskerroksen lämpökäsittelyn 650 °C:ssa havaittiin nostavan metallisen indiumin osuutta ja lisäävän pinnan epätasaisuutta.
Paras kidelaatu saavutettiin valmistamalla InN-kerros lämpökäsittelemättömän puskurikerroksen päälle sekä prosessilla, jossa lämpötilaa ja V/III-suhdetta muutettiin kasvun aikana.
ED:2004-11-22
INSSI tietueen numero: 26510
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI