haku: @supervisor Savin, Hele / yhteensä: 13
hakutulos-lista
viite: 13 / 13
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Lindroos, Jeanette
Työn nimi:Iron gettering with aluminium and back-surface passivation of chrystalline silicon solar cells
Järngettering med aluminium och bakytspassivering av kristallina kiselsolceller
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2010
Sivut:[13] + 78      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta
Oppiaine:Elektronifysiikka   (S-69)
Valvoja:Savin, Hele
Ohjaaja:Yli-Koski, Marko
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  975   | Arkisto
Avainsanat:silicon
solar cell
iron
aluminium
segregation
gettering
recombination
passivation
diffusion length
kisel
solcell
järn
aluminium
segregation
gettering
rekombination
passivering
diffusionslängd
Tiivistelmä (eng): The purpose of this Master's thesis was to study aluminium gettering of iron impurities in single crystalline silicon.
The intention was to determinate the iron segregation coefficient of aluminium segregation gettering at temperatures lower than 850°C.
Hence, 20 nm of pure aluminium was sputtered onto the backside of 400 µm thick, 2.87 OMEGA -cm p-doped Czochralski silicon wafers, which had been intentionally iron contaminated to a level of (3.36 ± 0.14) x 1013cm-3.
The iron concentration of the silicon wafer was measured through Surface Photovoltage (SPV) diffusion length measurements.
Iron gettering with aluminium at temperatures 800 - 840°C reduced the initial iron concentration to the range 1010 - 1011 cm-3.
Therefore, the iron segregation coefficient ranged from (5.28± 3.38) x 107 at 800°C to (5.23±2.48) x 105 at 840°C.
The resulting high iron segregation coefficient also led to a large iron segregation enthalpy of 21.73 eV at 820 - 840°C.

High temperature annealing of an aluminized crystalline silicon wafer also creates an aluminium back-surface field at the backside of the wafer.
This back-surface field reduces the back-surface recombination and improves the solar cell efficiency together with the iron gettering.
Hence, the back-surface recombination velocity of the aluminium back-surface field was also studied at 800, 850 and 900°C.

In these experiments, 1 and 3.5 µm of pure aluminium was sputtered onto the back surface of clean 200 µm thick, 2.87 OMEGA -cm p-doped crystalline silicon wafers.
The back-surface fields were formed by 30 min anneals and the diffusion lengths of the wafers were measured with Surface Photovoltage.
The measurements resulted in back-surface recom bination velocities of (3.1+1x107-1.85) x 104 cm/s for 3.5 µm aluminium annealed at 850°C and (5.5+3.7-1.6) x 103 cm/s for 3.5 µm aluminium at 900°C.
The 1 µm aluminium layer and the 3.5 µm layer annealed at 800°C did not reduce the back-surface recombination from its initial ohmic value 107 cm/s.
The results confirmed the theoretical assumption that the recombination decreases as a function of increasing aluminium thickness and increasing formation temperature.
ED:2010-03-15
INSSI tietueen numero: 39083
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI