haku: @supervisor Tulkki, Jukka / yhteensä: 13
viite: 3 / 13
Tekijä: | Kivisaari, Pyry |
Työn nimi: | The effect of current injection geometry on current spreading in semiconductor LEDs |
Injektiogeometrian vaikutus sähkövirran jakautumiseen puolijohdeledeissä | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2010 |
Sivut: | [8] + 62 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Informaatio- ja luonnontieteiden tiedekunta |
Oppiaine: | Laskennallinen tekniikka (S-114) |
Valvoja: | Tulkki, Jukka |
Ohjaaja: | Oksanen, Jani |
Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201203131552 |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark Aalto 873 | Arkisto |
Avainsanat: | solid state lighting light-emitting diodes nitride semiconductors thin-film flip-chip LEDs transverse multi-quantum well LEDs efficiency numerical modeling FEM puolijohdevalaistus ledit nitridipuolijohteet TFFC-ledit TJM-ledit hyötysuhde numeerinen mallinnus FEM |
Tiivistelmä (fin): | Diplomityössä esitellään ledien toiminnan kuvauksessa käytettyjä fysikaalisia malleja sekä mallinnetaan kahden valitun ledirakenteen toimintaa numeerisesti. Mallit ratkaistaan käyttämällä hyväksi elementtimenetelmää. Mallinnettavat ledirakenteet perustuvat TFFC- ja TMJ-ledeihin, jotka on hiljattain esitelty tieteellisessä kirjallisuudessa tehokkaina valaistusledirakenteina. Diplomityössä käytetyt numeeriset mallit perustuvat Maxwellin yhtälöihin, Fermi-Dirac-statistiikkaan, puolijohteiden virrankuljetusyhtälöihin ja yleisiin rekombinaatiomalleihin. Työssä mallinnetaan nitridipuolijohteita, joissa esiintyy voimakkaita spontaaneja sekä pietsosähköisiä polarisaatiokenttiä, ja näiden kenttien vaikutus on huomioitu työssä käytetyissä malleissa. Työssä verrataan yllämainittuja ledirakenteita toisiinsa tutkimalla sähkövirran injektiota, ledien hyötysuhdetta, säteilevän valon tehoa sekä säteilevän valon taajuusjakaumaa. Työssä tutkitaan myös virranlevityskerroksen leveyden vaikutusta rakenteiden tehokkuuteen. Lisäksi tarkastellaan spontaanin ja pietsosähköisen polarisaation vaikutusta ledien toimintaan ja hyötysuhteeseen. |
Tiivistelmä (eng): | In this thesis the physical models needed in simulating the operation of semiconductor LEDs are reviewed and used to numerically model the operation of two different LED structures. The numerical models are solved with the finite element method and the simulated structures are variations of the thin-film flip-chip and transverse multi-quantum well LEDs which are recently proposed structures for efficient white light generation. The numerical models used in this thesis are based on Maxwell's equations, Fermi-Dirac statistics, semiconductor current equations and basic recombination models. Modelled materials are nitride semiconductors which exhibit strong spontaneous and piezoelectric polarization fields, and these fields are also included in the models. The two above mentioned LED structures are compared with each other in terms of the current injection properties, overall efficiency, light output power and the frequency distribution of the generated light. The effect of the current injection layer width on the efficiency is studied as well. In addition, the effect of the spontaneous and piezoelectric polarization fields on the LED operation and efficiency is investigated. |
ED: | 2010-11-26 |
INSSI tietueen numero: 41363
+ lisää koriin
INSSI