haku: @supervisor Savin, Hele / yhteensä: 13
viite: 11 / 13
Tekijä: | Midili, Virginio |
Työn nimi: | Realization of a capacitance-voltage measurement system for semiconductor characterization |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2012 |
Sivut: | viii + 71 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Mikro- ja nanotekniikan laitos |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Savin, Hele |
Ohjaaja: | Haarahiltunen, Antti |
Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201303191826 |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark Aalto 1193 | Arkisto |
Avainsanat: | electrical measurements semiconductor MOS capacitance ALD oxide charge interface trap density proling |
Tiivistelmä (eng): | Capacitance-voltage (CV) measurements are used widely as an effective method for Metal-Insulator-Silicon structures (MIS) characterization. They are electrical measurements able to provide several informations about semiconductor properties. Physical parameters including average doping density, fixed and mobile oxide charges, doping profile and interface trap density can be determined from a single measurement. In this work, a complete capacitance-voltage (CV) measurement system has been developed and implemented. After initial testing it was employed as a valuable instrument for material research and semiconductors characterization. Two different softwares were implemented for data acquisition and following analysis.A study of the precision and the sensitivity properties of the system is also presented. Examples from the real measurements are discussed along with the main issues about the results interpretation and practical procedures. In particular, some results concern the comparison of silicon oxide and atomic layer deposited (ALD) aluminum oxide devices measurements. Finally, conclusions about correct sample preparation and contact fabrication are presented. The difficulties and the different attempts during the development of the system are also presented as a starting point for future improvements. |
ED: | 2013-03-13 |
INSSI tietueen numero: 45926
+ lisää koriin
INSSI