haku: @instructor Hakonen, Pertti / yhteensä: 15
viite: 13 / 15
Tekijä:Roschier, Leif
Työn nimi:Fabrication of single electron transistor using scanning probe manipulation
Yhden elektronin transistorin valmistus atomivoimamikroskoopin avulla
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1999
Sivut:61      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Oppiaine:Materiaalifysiikka   (Tfy-44)
Valvoja:Salomaa, Martti M.
Ohjaaja:Hakonen, Pertti J. ; Paalanen, Mikko A.
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark TF80     | Arkisto
Tiivistelmä (fin):Hiili-nanoputkilot löydettiin 1991.
Ne edustavat uudentyyppistä materiaalia, jolla on potentiaalisia sovellutuksia nanoteknologiassa ja nanoelektroniikassa.
Nanoputkilot voidaan ajatella grafiitti-liuskoiksi, jotka on kääritty sylinterin muotoon.
Nanoputkiloita on kahta eri tyyppiä: yhden seinämän putkiloita ja moniseinäisiä putkiloita, jotka koostuvat monista sisäkkäisistä sylintereistä.
Putkilot ovat sähköisiltä ominaisuuksiltaan joko metallisia tai puolijohtuvia riippuen siitä miten grafiittiliuskat ovat kääritty rullalle.

Yhden elektronin transistori, joka on herkin tunnettu varauksenilmaisin, keksittiin 1987.
Sen toiminta perustuu laitteen toiminnallisen osan pieneen kokoon, jolla on niin pieni kapasitanssi, että yhdenkin elektronin lisäys muuttaa sen energiaa merkittävästi.

Tässä diplomityössä valmistettiin yhden elektronin transistori puolijohtavasta moniseinäisestä nanoputkilosta siirtämällä se atomivoimamikroskoopin kärjellä kahden 250 nm etäisyydellä toisistaan olevan kulta-johtimen väliin.
Johtimet valmistettiin elektronisuihkulitografialla piikiekosta lohkaistulle 6 x 10 mm[2] kokoiselle alustalle.
Komponentista mitattiin sähköiset ominaisuudet kylmimmillään 120 mK:n lämpötilassa.
Mittausten perusteella määriteltiin komponentin tunneliliitosten kapasitanssit ja vastukset.

Yhden elektronin transistorissa on kaksi tunneliliitosta, joiden virta-jännite käyttäytymistä tutkittiin teoreettisesti.
Tässä mallinnettiin tunneliliitoksen potentiaalivallin muotoa ottaen huomioon liitoksen geometria sekä peilikuvavarauksista aiheutuva voima.
Tuloksena oli, että pienillä tunneliliitoksen yli olevilla jännitteillä, joka oli tilanne mittauksissa, ei tunneloinnista seurannut merkittävää epälineaarisuutta virran jänniteriippuvuuteen.
ED:1999-06-18
INSSI tietueen numero: 14489
+ lisää koriin
INSSI