haku: @supervisor Saarinen, Kimmo / yhteensä: 16
viite: 16 / 16
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Kivioja, Jani |
Työn nimi: | GaN:ssä sekä AIGaN:ssä esiintyvien hilavirheiden tutkiminen positroniannihilaatiospektroskopialla |
Defects in GaN and AlGaN Studied by Positron Annihilation Spectroscopy | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2000 |
Sivut: | 105 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
Valvoja: | Saarinen, Kimmo |
Ohjaaja: | Oila, Juha |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | positron spectroscopy point defect DX center positronispektroskopia GaN AlGaN hilavirhe DX-keskus |
Tiivistelmä (fin): | Työssä tutkittiin GaN- ja AlGaN-ohutkalvonäytteissä esiintyviä hilavirheitä positroniannihilaatiospektroskopialla. Työssä käytettiin TKK:n Fysiikan laboratorion kahta hitaiden positronien suihkua ja positronien elinaikamittalaitteistoa. Työssä mitattiin positronien keskimääräinen elinaika kahdessa HVPE-kasvatetussa GaN-ohutkalvonäytteessä. Vapaan positronin elinajaksi GaN-hilassa saatiin 156 ps ja galliumvakanssiin loukkuuntuneen positronin elinajaksi 235 ps. Nämä ovat samat kuin aiemmin tutkituissa erilliskiteissä. Näytteiden ei havaittu sisältävän Ga-vakanssien lisäksi muita positroneja loukkuunnuttavia virheitä. Positronin loukkuuntumiskertoimen lämpötilariippuvuus määritettiin elinaikamittausten perusteella. Loukkuuntumiskertoimen havaittiin noudattavan T[1/2]-lämpötilariippuvuutta, mikä osoittaa galliumvakanssin olevan negatiivisesti varautunut. Mitattujen GaN-näytteiden dislokaatio- ja epäpuhtaustiheyden oli mitattu olevan suurempi lähellä substraatin ja ohutkalvon välistä rajapintaa. Mittauksissa havaittiin myös vakanssikonsentraation suurenevan, kun etäisyys GaN/Al_(2)O_(3)-rajapintaan pieneni. Galliumvakanssin ja happiepäpuhtausatomin muodostaman (V_(Ga)-O_(N))-virhekompleksin muodostumisenergia on pienempi kuin yksittäisen Ga-vakanssin. Työssä tutkittiin Ga-vakanssia ympäröivien atomien elektronien liikemääräjakaumaa. Tulosten perusteella saatiin viitteitä (V_(Ga)-O_(N))-kompleksin muodostumisesta paljon happea sisältävissä näytteissä. Tutkituissa AlGaN-näytteissä oli aiemmin havaittu DX-hilavirhe. Tätä kuvaavan atomimallin mukaan DX-keskukseen liittyy voimakas hilarelaksaatio, jonka seurauksena hilaan syntyy vakanssin tyyppinen hilavirhe. DX-keskus on mahdollista virittää joko sopivalla valolla tai termisesti, jolloin virheeseen liittyvän tyhjän tilan tulee mallin mukaan kadota. Mittauksissa pyrittiin selvittämään, voidaanko tätä havaita positronien avulla. Työssä ei kuitenkaan saatu selkeää todistetta positronien loukkuuntumisesta DX-virheisiin. |
ED: | 2000-10-26 |
INSSI tietueen numero: 15886
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI