haku: @supervisor Niinistö, Lauri / yhteensä: 162
viite: 24 / 162
Tekijä: | Kostamo, Juhana |
Työn nimi: | CuS:lla päällystetyn huokoisen piin valmistus sensorisovelluksia varten |
Preparation of porous silicon plated with CuS for sensor applications | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2000 |
Sivut: | 110 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Kemian tekniikan osasto |
Oppiaine: | Epäorgaaninen kemia (Kem-35) |
Valvoja: | Niinistö, Lauri ; Karppinen, Maarit |
Ohjaaja: | Johansson, Johanna |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TKK 4522 | Arkisto |
Tiivistelmä (fin): | Työn kirjallisuusosan alussa tarkastellaan huokoisen piin valmistusta, rakennetta, stabilointia ja päällystystä. Erityisesti on selvitetty anodisointiparametrien vaikutusta huokoisen piin rakenteeseen. Päällystysmenetelmien osalta keskitytään ALE-menetelmään. Kirjallisuusosan lopussa kerrotaan yleisimmistä kaasusensorityypeistä ja huokoiselle piille valmistetuista kaasusensoreista. Lisäksi luodaan Iyhyt katsaus kaasusensorien testauslaitteistoihin. Kokeellisessa osassa optimoitiin ensin CuS:n ALE-kasvatusprosessi litteille pii- ja lasisubstraateille. Ohutkalvomateriaaliksi valittiin CuS, koska sen ominaisvastuksen on havaittu muuttuvan herkästi monien kaasujen, etenkin ammoniakin vaikutuksesta. Kasvatuksissa käytettiin lähdeaineina kupari(II)-2,2,6,6-tetrametyyli-3,5-heptaanidionaattia ja divetysulfidia. Kasvatukset suoritettiin lämpötilavälillä 125-250 °C. ALE-ikkuna sijaitsi piisubstraateilla alueella 125-140 °C ja lasisubstraateilla alueella 125-150 °C. Kasvunopeus oli molemmissa tapauksissa noin 0,30 Å/jakso. Kalvot olivat monikiteisiä ja konformaalisia eivätkä sisältäneet mainittavia määriä epäpuhtauksia. Kalvojen ominaisvastus oli noin 1*10[-4] omegacm. Kokeellisen osan loppuvaiheessa rakennettiin huokoisen piin anodisointilaitteistolle HF-höyryjen puhdistusjärjestelmä ja valmistettiin p[+]-tyypin huokoista piitä sensorien substraattimateriaaliksi. Tämän jälkeen valmistettiin optimoituja ALE-kasvatusparametreja käyttäen sarja CuS-sensoreita huokoiselle piille. |
ED: | 2001-01-02 |
INSSI tietueen numero: 16093
+ lisää koriin
INSSI