haku: @keyword photoluminescence / yhteensä: 18
hakutulos-lista
viite: 7 / 18
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Zhu, Zhen
Työn nimi:Optical and structural characterization of InGaN/GaN multiple quantum well structures irradiated by high energy heavy ions
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2008
Sivut:v + 49      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta
Koulutusohjelma:Elektroniikan ja sähkötekniikan tutkinto-ohjelma
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Sopanen, Markku
Ohjaaja:Ali, Muhammad
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/urn:nbn:fi:tkk-012900
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:gallium nitride
indium gallium nitride
metalorganic vapor phase epitaxy
multiple quantum well
x-ray
photoluminescence
irradiation
fluence
Tiivistelmä (eng): This topic is a cooperation project between Helsinki University of Technology (TKK) and Uppsala University (UU).
Multiple quantum wells (MQWs) were grown and characterized in Department of Micro and Nanosciences of TKK.
The samples were irradiated in Ångström Laboratory of UU.

In this thesis, quantum well (QW) structures based on InGaN/GaN material system have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE).
The samples grown had 5 and 10 quantum wells with 6 and 10% of indium, respectively.
Iodine and bromine have been used as irradiations ions.
The irradiation fluences of these ions were varied from 109 to 1012 ions/cm2.

Our X-ray diffraction results have shown no signs of a major crystal damage on the quantum wells.
The photoluminescence results indicate a strong dependence of the optical properties on the type and fluence of ions used for irradiation.
ED:2009-10-19
INSSI tietueen numero: 38476
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI