haku: @keyword fotoluminesenssi / yhteensä: 19
viite: 13 / 19
Tekijä: | Pohjola, Päivi |
Työn nimi: | GaInNAs-kvanttipisteiden fotoluminesenssi |
Photoluminescence of GaInNAs quantum dots | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2000 |
Sivut: | v + 65 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Lipsanen, Harri |
Ohjaaja: | Koskenvaara, Hannu |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TKK 2960 | Arkisto |
Avainsanat: | quantum dot photoluminescence x-ray topography GaInNAs kvanttipiste fotoluminesenssi röntgentopografia |
Tiivistelmä (fin): | Työssä tutkittiin Kalifornian yliopistossa San Diegossa MBE-menetelmällä kasvatettujen GaInNAs-kvanttipisteiden fotoluminesenssia. Mittaukset tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratorion mittauslaitteistolla. Saatuja tuloksia verrattiin puoli vuotta aiemmin San Diegossa mitattuihin fotoluminesenssispektreihin. Tulosten arvioinnissa käytettiin apuna röntgentopografiakuvista saatuja dislokaatiotiheyksiä ja röntgendiffraktiomittauksista saatuja tuloksia. Tutkituissa näytteissä oli GaAs-kerroksen päälle kasvatettu yksi tai kaksi peitettyä kvanttipistekerrosta. Yhden kvanttipistekerroksen näytteissä GaInNAs-kerroksen paksuus muuttui näytteestä toiseen. Kahden kvanttipistekerroksen näytteissä välikerros oli 8 - 12 nm paksu. Yhden kvanttipistekerroksen näytteissä luminesenssipiikin intensiteetti ja energia pienenivät ja puoliarvoleveys kasvoi kerrospaksuuden kasvaessa. Kaksikerrosnäytteissä luminesenssipiikin energia kasvoi välikerroksen paksuuntuessa. Puoliarvoleveydessä ja intensiteetissä havaitut muutokset olivat erilaisia puolen vuoden välein tehdyissä mittauksissa. Röntgentopografiakuvista mitatuilla dislokaatioilla huomattiin olevan yhteyttä intensiteetin heikkenemiseen ja typen diffuusioon pois kvanttipisteistä. Röntgendiffraktiomittaukset ja simulaatiot antoivat samansuuntaisia tuloksia. GaInNAs-kvanttipisteet eivät enää luminoineet huoneenlämpötilassa. Luminesenssi-intensiteetti oli myös matalissa lämpötiloissa yleisesti melko heikkoa. Paras säilyvyys oli 4 atomikerroksen kvanttipistekerroksella. Se luminoi 1,3 µm aallonpituudella. Puolijohdelaseria ajatellen kvanttipisteiden luminesenssi intensiteettiä täytyisi vielä parantaa. |
ED: | 2000-10-31 |
INSSI tietueen numero: 15899
+ lisää koriin
INSSI