haku: @keyword atomikerroskasvatus / yhteensä: 19
viite: 16 / 19
| Tekijä: | Mäkinen, Joonas |
| Työn nimi: | Hafniumoksidin atomikerroskasvatus ja fysikaaliset ominaisuudet |
| The growth of hafnium oxide by atomic layer deposition and the physical properties | |
| Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyö |
| Julkaisuvuosi: | 2009 |
| Sivut: | 29 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
| Koulutusohjelma: | Elektroniikan ja sähkötekniikan tutkinto-ohjelma |
| Oppiaine: | Sähköfysiikka (S3014) |
| Valvoja: | Turunen, Markus |
| Ohjaaja: | Bosund, Markus |
| Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201305166355 |
| Sijainti: | |
| Avainsanat: | ALD atomikerroskasvatus hafniumoksidi HfO2 taitekerroin läpilyöntikenttä |
| ED: | 2010-02-17 |
INSSI tietueen numero: 38977
+ lisää koriin
INSSI