haku: @keyword heterojunction / yhteensä: 2
hakutulos-lista
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Ao, Fang
Työn nimi:Double Heterostructure Step Recovery Diode Based on Gallium Arsenide Technology
Galliumarsenidi-teknologialla toteutettu kaksoisheteroliitosdiodi
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1996
Sivut:61      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Elektronifysiikka   (S-69)
Valvoja:Kuivalainen, Pekka
Ohjaaja:
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:p-i-n diode
heterojunction
step recovery diode
Tiivistelmä (eng): This Master's Thesis deals with the study and fabrication of double heterostructure step recovery diode based on gallium arsenide technology.

The step recovery diode behaves as a two-state capacitor of large capacitance under forward bias and small capacitance under reverse bias.
Ap+-i-n+ double heterostructure step recovery diode (DHSRD) fabricated on AlGaAs structure has demostrated the fastest transition time.
The fastest transition times are obtained by the linearly graded bandgap AlxGa1-xAs with grading from x=0-0.15.
The linear grading provides an electron field which confines the injected holes closer to the p+ exit region and also provides a drift field to accelerate hole removal during the reverse recovery process.

In this Master's thesis, p+-i-n+ based DHSRD have been fabricated with Al0.25Ga0.75As / AlxGa1-xAs / Al0.25Ga0.75As structure and Al0.20Ga0.80As/AlxGa1-xAs/Al0.20Ga0.80As structure, where x = 0 - 0.15.
Measurements of the second structural DHSRD show an ideality factor of 1.95 and a rise time of 50 ps, approximately.
The capacitance under forward bias is 108 pF, and 0.9 pF under reverse bias.
ED:1997-01-09
INSSI tietueen numero: 11811
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI