haku: @keyword ion-implantation / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Lindblom, Timo |
Työn nimi: | Fotoresistitekniikan kehittäminen submikronialueen CMOS-prosessiin |
Development of Electrical and Communications Engineering | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 69 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Kuivalainen, Pekka |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | photoresist lithography etching ion-implantation stripping organic resist removal cencor SEM AFM fotoresisti litografia etsaus ioni-istutus strippaus orgaaninen resistinpoisto Censor SEM AFM |
Tiivistelmä (fin): | Työn tavoitteena oli tutkia erilaisia resistinpoistotekniikoita, kehittää resistijäämien havainnointimenetelmiä sekä ottaa käyttöön uusi fotoresisti. Päätavoitteena oli kehittää alumiinietsattujen kiekkojen resistinpoistoon soveltuva menetelmä. Kirjallisuustutkimuksessa on käsitelty yleisesti käytettyjä litografialaitteistoja ja -teknologioita sekä perehdytty resistimateriaalien ominaisuuksiin. Lisäksi on selvitetty puolijohdeteknologiassa käytettäviä etsaus- ja ioni-istutusprosesseja ja näiden prosessien aiheuttamia kemiallisia muutoksia resistissä. Nämä muutokset voivat aiheuttaa ongelmia, kun resisti poistetaan. Resistinpoistotekniikoista on käsitelty yleisimmin käytössä olevia märkä- ja kuivapoistomenetelmiä. Lopuksi on esitelty tässä työssä käytettyjä laitteistoja, joilla voidaan tutkia resistinpoiston tehokkuutta ja resistijäämiä. Kokeellisessa osassa on otettu käyttöön uusi fotoresisti, tutkittu useiden erilaisten resistinpoistomenetelmien tehokkuutta alumiinietsatuilla kiekoilla ja kehitetty resistijäämien havainnointiin soveltuvia menetelmiä. Resistinpoiston tehokkuutta alumiinietsatuilta kiekoilta on tarkasteltu pyyhkäisyelektronimikroskoopilla, ja resistinpoiston vaikutuksia alumiinijohtimiin on tutkittu sähköisillä mittauksilla. Piikiekoilla olevien resistijäämien havainnoinnissa on käytetty laser-avusteista mittauslaitteistoa ja atomivoimamikroskooppia. |
ED: | 1999-06-03 |
INSSI tietueen numero: 14321
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI