haku: @keyword RF-tehotransistori / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Pulkkinen, Janne |
Työn nimi: | Epälineaarisen LDMOS-transistorin DC- ja AC- mallin toteutus APLACiin |
The DC and AC model implementation of a nonlinear LDMOS transistor for the APLAC circuit simulator | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 140 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Radiotekniikka (S-26) |
Valvoja: | Vainikainen, Pertti |
Ohjaaja: | Lagerblom, Niklas |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | power transistor modelling macro model self heating thermal network APLAC LDMOS RF-tehotransistori mallinnus makromalli itseislämpeneminen terminen piiri |
ED: | 1999-10-05 |
INSSI tietueen numero: 14842
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI