haku: @keyword B-luokka / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Hakala, Ilkka-Hermanni
Työn nimi:High efficiency power amplifier design for WCDMA base stations using bare-die devices
Korkean hyötysuhteen tehovahvistimen suunnittelu WCDMA tukiasemiin koteloimattomia sirutransistoreja käyttäen
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2003
Sivut:x + 71 s. + liitt. 7      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Radiotekniikka   (S-26)
Valvoja:Räisänen, Antti
Ohjaaja:Kaunisto, Risto
Digitoitu julkaisu: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/91116
OEVS:
Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:efficiency
PA
B-class
push-pull
bare-die
pHEMT
hyötysuhde
tehovahvistin
B-luokka
Tiivistelmä (fin):Tämän diplomityön tarkoituksena on suunnitella ja toteuttaa B-luokan korkean hyötysuhteen tehovahvistimia käytettäväksi korkean hyötysuhteen lähetin-järjestelmässä, jossa epälineaarisia tehovahvistimia voidaan käyttää lineaarisen vahvistuksen aikaansaamiseksi.
Työssä toteutettiin yhteensä kolme tehovahvistinta käyttäen pHEMT sirutransistoreja.
Koteloimattomia transistoreja käytettiin lisäämään suunnittelun vapausasteita.

Työn ensimmäisessä osassa käsitellään tehovahvistimien teoriaa sekä korkean hyötysuhteen tehovahvistimien suunnittelussa esiin tulevia asioita.
Seuraavaksi työssä esitetään tehotransistoriteknologian perusteet, ja tarkastellaan pHEMT transistorin rakennetta sekä paljaiden sirutransistorien käyttöön liittyviä kysymyksiä.
Lopuksi käydään läpi tehovahvistimien suunnitteluprosessin vaiheet ja niille suoritetut mittaukset sekä vertaillaan mitattuja suureita tietokonesimuloinneissa saavutettuihin arvoihin.

Käytettyjen pHEMT transistorien ulostuloteho jäi simuloitua alhaisemmaksi.
Ensimmäisen puutteellisen version jälkeen vahvistimet toimivat alhaisempaa ulostulotehoa lukuun ottamatta lähes simuloidulla tavalla.
Paras hyötysuhde saavutettiin push-pull topologialla, jolloin hyötysuhde oli 75 % ja PAE = 54 %, ulostulotehon ollessa 34.5 dBm
ED:2003-11-11
INSSI tietueen numero: 20119
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI