haku: @keyword kaksoisdiffuusio / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Jansson, Roope |
Työn nimi: | LDNMOS-transistorin kehittäminen BeCMOS-prosessiin |
Development of LDNMOS transistor for the BeCMOS process | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2002 |
Sivut: | 84 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Materiaali- ja kalliotekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektroniikan valmistustekniikka (S-113) |
Valvoja: | Kivilahti, Jorma |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TKK 122 | Arkisto |
Avainsanat: | LDNMOS DMOS BeCMOS double diffusion molybdenum gate simulation transistor LDNMOS DMOS BeCMOS kaksoisdiffuusio molybdeenihila simulointi transistori |
ED: | 2004-03-08 |
INSSI tietueen numero: 21299
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI