haku: @keyword plasma etching / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Huhtanen, Antti |
Työn nimi: | Chromium silicide based thin film resistor plasma etch process characterization and post-etch residue analysis |
Kromisilisidipohjaisten ohutkalvovastusten plasmaetsausprosessin karakterisointi ja etsausjäämien analyysi | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2007 |
Sivut: | x + 89 s. + liitt. 5 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektroniikan valmistustekniikka (S-113) |
Valvoja: | Kivilahti, Jorma |
Ohjaaja: | Lämsä, Erja ; Laurila, Tomi |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | plasma etching characterization thin film resistor resist removal plasmaetsaus karakterisointi ohutkalvovastus resistinpoisto |
ED: | 2007-06-18 |
INSSI tietueen numero: 34121
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI