haku: @keyword precursor pulsing / yhteensä: 2
hakutulos-lista
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Li, Shuo
Työn nimi:Optimization of precursor pulsing in atomic layer deposition
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2008
Sivut:v + 52      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optiikka ja molekyylimateriaalit   (S-129)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Bosund, Markus
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201203071274
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark TKK  2985   | Arkisto
Avainsanat:atomic layer deposition
precursor pulsing
tantalum oxide
Tiivistelmä (eng):In this work aluminium oxide (Al2O3) and tanalum oxide (Ta2O5) films are grown by atomic layer deposition (ALD) on silicon substrates.
The research was performed at Micro and Nanosciences Department of Helsinki University of Technology.
The effect of precursor pulsing time and pulsing method on film growth rate, mean thickness and thickness variations was studied.
The film thickness was measured with ellipsometry.

The modelling of precursor pulsing time was presented.
The simulation of trimethylaluminum (TMA) pulsing pressure with different pulsing time was carried out.
The results indicated that the pressure before the pulsing valve decreases to a steady state if the valve open time was long enough.

In TMA and H20 optimization experiments, the growth rate of 1.2 Å/cycle and thickness variation of 0.4 % were achieved with 100 ms H20 pulsing time at a temperature of 220 °C.
In TaC15 and H20 experiments, 0.8 Å/cycle growth rate and 4.6 % thickness variation obtained with 25 ms TaC15 pulsing time at 200 °C.
In the TaC15 pulsing mode optimization experiments, the same growth rate of 0.8 Å/cycle was acquired with booster pulse mode and combination pulse mode.
ED:2009-06-15
INSSI tietueen numero: 37686
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI