haku: @author Anteroinen, Johanna / yhteensä: 2
hakutulos-lista
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Anteroinen, Johanna
Työn nimi:Structure and Electrical Characteristics of Graphene Field Effect Transistors
Grafeenikanavatransistorien rakenne ja sähköiset ominaisuudet
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2011
Sivut:ix + 54 s. + liitt. 8      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Stadius, Kari ; Ryynänen, Jussi
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201207022709
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  642   | Arkisto
Avainsanat:graphene
GFET
SiC
graphene electrical models
S-parameter measurement
CVD graphene
grafeeni
GFET
SiC grafeeni
CVD grafeeni
MOSFET
piensignaalimalli
Tiivistelmä (fin): Työn tavoitteena oli tehdä kirjallisuuskatsaus grafeeni-transistoreista ja mallintaa Aalto Yliopiston Nanoteknologian tutkimusryhmän valmistamia grafeenikanavatransistoreja (engl. field-effect transistor).

Työn alkuvaiheessa havaittiin, että kirjallisuudesta löytyy muutamia grafeenikanavatransistorimalleja, jotka pohjautuvat puolijohdekanavatransistoreihin.
Työssä mitattiin grafeeni-kanavatransistorien DC-käyttäytymistä ja tarkoituksena oli tehdä radiotaajuusmittauksia SiC-grafeenitransistoreista sekä CVD grafeenitransistoreista.
Radiotaajuusmittauksia ei kuitenkaan kyetty tekemään SiC-transistoreista, koska transistorien kontaktiresistanssi oli liian suuri ja näin ollen katkotaajuus liian alhainen.
CVD-grafeenitransitoreille tehtiin S-parametrimittaukset ja laskettiin piensignaalimallin parametrit.
CVD grafeenikanavatransistorien katkotaajuudeksi saatiin 80 MHz, joka on samaa suuruusluokkaa laskennallisen katkotaajuuden kanssa.

Työssä käytettiin jo olemassaolevaamallia transistorin DC-parametrien, varauksenkuljettajien liikkuvuus, jäännösvarauksenkuljettajatiheys ja kontaktiresistanssi, selvittämiseksi.
Mallille suoritettiin validointi (engl. k-fold crossvalidation).
Tiivistelmä (eng): The goal of this master's thesis was to write a literature survey of graphene transistors, and to measure and model the graphene field-effect transistors (GFET) fabricated by Nanotechnology research group at Aalto University.

Direct current (DC) and radio frequency (RF) measurements were performed on graphene field-effect transistors to find out the DC and RF properties.
Two sets of GFETs were measured, first chip was fabricated with SiC process and the second with CVD process.
The SiC GFET impedance levels were too high to measure RF properties.
RF-measurements were performed on CVD GFETs.
The CVD GFET cut-off frequency was found to be approximately 80 MHz, which is in the same range as the calculated cut-off frequency.
MOSFET small-signal model was used for GFETs and the model parameters are presented.

The results of the DC measurements were analyzed and the data was fitted according to an existing device resistance model.
The curve-fit to total device resistance gives estimations on parameters such as contact resistance, residual charge carrier concentration and conductivity mobility.
The model was validated using k-fold cross validation.
ED:2011-09-29
INSSI tietueen numero: 42836
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI