haku: @keyword siirtokonduktanssi / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Tiilikainen, Mika |
Työn nimi: | A novel high precision adjustment method for the transconductance of a MOSFET |
MOS transistorin siirtokonduktanssin hienosäätömenetelmä | |
Julkaisutyyppi: | Lisensiaatintutkimus |
Julkaisuvuosi: | 1998 |
Sivut: | 88 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Alinikula, Petteri |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | calibration effective channel width transconductance resistive gate five-terminal MOSFET kalibrointi efektiivinen kanavan leveys siirtokonduktanssi resistiivinen hila |
ED: | 2012-08-23 |
INSSI tietueen numero: 45097
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI