haku: @keyword Poisson / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Grahn, Kaj |
| Työn nimi: | VTTMOS - a two-dimensional program for simulation of high-voltage semiconducter devices |
| VTTMOS, kaksidimensionaalinen ohjelma, simulaatio, korkeajännite, puolijohdelaite | |
| Julkaisutyyppi: | Lisensiaatintutkimus |
| Julkaisuvuosi: | 1987 |
| Sivut: | 82 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan osasto |
| Oppiaine: | Elektronifysiikka (1.69) |
| Valvoja: | Sinkkonen, Juha |
| Ohjaaja: | Pohjonen, Helena |
| OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | analysis DMOS finite element Helmholtz high-voltage Laplace Poisson potential semiconductor simulation |
| ED: | 1994-04-29 |
INSSI tietueen numero: 4588
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI