haku: @author Rasku, Topi / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Rasku, Topi |
| Työn nimi: | Computational Study of the Anion Antisite Defect and its Metastability in III-V Semiconductors |
| Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyö |
| Julkaisuvuosi: | 2013 |
| Sivut: | 24 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Perustieteiden korkeakoulu |
| Koulutusohjelma: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan koulutusohjelma |
| Oppiaine: | Teknillinen fysiikka (F3005) |
| Valvoja: | Puska, Martti |
| Ohjaaja: | Virkkala, Ville |
| Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201309027653 |
| Sijainti: | |
| Avainsanat: | semiconductor antisite density functional theory computational |
| ED: | 2013-12-02 |
INSSI tietueen numero: 47871
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI