haku: @keyword field-effect transistor / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Pohjavirta, Ilona |
| Työn nimi: | Characterization of graphene on silicon dioxide and hexagonal boron-nitride |
| Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyö |
| Julkaisuvuosi: | 2014 |
| Sivut: | 44 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Perustieteiden korkeakoulu |
| Koulutusohjelma: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan koulutusohjelma |
| Oppiaine: | Teknillinen fysiikka (SCI3028) |
| Valvoja: | Liljeroth, Peter |
| Ohjaaja: | Banerjee, Kaustuv |
| Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201501301765 |
| Sijainti: | |
| Avainsanat: | graphene hexagonal boron-nitride field-effect transistor atomic force microscopy raman spectrometry electrical transport measurement |
| ED: | 2015-02-08 |
INSSI tietueen numero: 50502
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI