haku: @keyword delafossiitti / yhteensä: 2
viite: 1 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Heiska, Juho
Työn nimi:Delafossiittien soveltaminen optoelektroniikassa
Julkaisutyyppi:Kandidaatintyö
Julkaisuvuosi:2015
Sivut:26      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Kemian tekniikan korkeakoulu
Koulutusohjelma:Kemian tekniikan koulutusohjelma
Oppiaine:Kemia   (KE200-1)
Valvoja:Fabricius, Gunilla
Ohjaaja:Mustonen, Otto
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201506303358
Sijainti:  
Avainsanat:delafossiitti
optoelektroniikka
TCO
P-tyypin puolijohde
kielletty energiaväli
ED:2015-08-16
INSSI tietueen numero: 51693
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI