haku: @keyword AFM / yhteensä: 20
viite: 11 / 20
| Tekijä: | Svensk, Olli |
| Työn nimi: | Alumiinigalliumnitridin valmistus MOVPE-menetelmällä |
| MOVPE growth of aluminium gallium nitride | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 2005 |
| Sivut: | 64 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
| Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
| Valvoja: | Sopanen, Markku |
| Ohjaaja: | Lang, Teemu |
| OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | aluminium gallium nitride MOVPE gallium nitride two-step growth method sapphire in situ reflectrometry AFM XRD photoluminescence alumiinigalliumnitridi MOVPE galliumnitridi kaksivaiheinen valmistusmenetelmä safiiri reflektometri AFM XRD fotoluminesenssi |
| Tiivistelmä (fin): | Tämä diplomityö käsittelee alumiinigalliumnitridin epitaktista valmistusta galliumnitridikerroksen päälle. Työ tehtiin Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratoriossa. AlGaN-kerrokset valmistettiin MOVPE-laitteistolla ja niiden ominaisuuksien tutkimiseen käytettiin MOVPE-laitteiston valmistuksenaikaista refiektometriä, röntgendiffraktometriä, atomivoimamikroskooppia ja fotoluminesenssimittalaitteistoa. Kiteiden alumiinipitoisuuden todettiin olevan TMAl- ja TMGa -lähdeaineiden molaarista virtaussuhdetta alhaisempi. Kiteen alumiinipitoisuuden arviointia ei voitu suorittaa ainoastaan molaaristen kaasuvirtausten suhteiden perusteella, koska muut valmistusparametrit vaikuttavat alumiinin osuuteen merkittävästi. Lähdeaineiden V/III-suhteen suurentaminen johti kalvon alumiinipitoisuuden nousuun. AlGaN-kerrosten kasvun todettiin olevan reaktiivisten ryhmän III aineiden määrän rajoittamaa V/III-suhdevälillä 1250 - 2750. Korkeilla alumiiniosuuksilla kerroksissa havaittiin selviä halkeamia. Halkeamia lukuun ottamatta V/III-suhteella ei todettu olevan vaikutusta kalvon pinnan morfologiaan. Valmistuslämpötilan nostamisen todettiin hidastavan kalvojen kasvunopeutta lämpötilavälillä 940 - 1300 °C. Kerroksen alumiinipitoisuus nousi valmistuslämpötilan noustessa. Tasaisin pinnan morfologia saavutettiin l240°C:n lämpötilassa. 590 - 630 °C:n lämpötilassa AlGaN-kalvot kasvoivat saarekekasvuna. Alumiinipitoisuuden noustessa kerrosten kidelaatu heikkeni merkittävästi. |
| ED: | 2005-05-11 |
INSSI tietueen numero: 28802
+ lisää koriin
INSSI